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美光宣布開發(fā)"尖端"HBM4E 工藝 HBM4計(jì)劃于2026年量產(chǎn)
美光宣布開發(fā)"尖端"HBM4E 工藝 HBM4計(jì)劃于2026年量產(chǎn)12/23/2024,光纖在線訊,美光(Micron)公布了下一代HBM4HBM4E工藝的最新進(jìn)展,該公司預(yù)計(jì)將于2026年開始量產(chǎn)。HBM4有望帶來最先進(jìn)的性能和效率數(shù)據(jù),而這正是提升人工智能計(jì)算能力的途徑。美光與SK海力士和三星等公司一樣,也在爭(zhēng)奪HBM4的主導(dǎo)地位,在最新的投資者會(huì)議上,該公......
2024-12-23 15:14:33
SK海力士宣布與臺(tái)積電合作開發(fā)HBM4
4/19/2024,光纖在線訊,SK海力士(簡(jiǎn)稱公司)19日宣布,公司就下一代HBM產(chǎn)品生產(chǎn)和加強(qiáng)整合HBM與邏輯層的先進(jìn)封裝技術(shù),將與臺(tái)積電公司密切合作,雙方近期簽署了諒解備忘錄(MOU)。公司計(jì)劃與臺(tái)積電合作開發(fā)預(yù)計(jì)在2026年投產(chǎn)的HBM4,即第六代HBM產(chǎn)品。 SK海力士表示:“公司作為A......
2024-04-19 10:55:38
SK海力士擬斥資38.7億美元 赴美建首座HBM先進(jìn)封裝廠
4/07/2024,光纖在線訊,近日,韓國(guó)內(nèi)存大廠SK海力士宣布,斥資38.7億美元在美國(guó)印第安那州興建新先進(jìn)內(nèi)存封裝廠,預(yù)期2028年下半年開始運(yùn)營(yíng),有望生產(chǎn)HBM4HBM4E內(nèi)存產(chǎn)品。 據(jù)報(bào)道,該廠將不加工帶內(nèi)存電路的芯片,而是從其他地方(如韓國(guó)SK海力士芯片廠)獲得這些芯片,再用已知良好堆......
2024-04-07 09:45:49
美光宣布量產(chǎn) HBM3e 內(nèi)存 將應(yīng)用于英偉達(dá) H200 AI 芯片
美光宣布量產(chǎn) HBM3e 內(nèi)存   將應(yīng)用于英偉達(dá) H200 AI 芯片2/27/2024,光纖在線訊,美光科技今日宣布開始批量生產(chǎn)HBM3E高帶寬內(nèi)存,其24GB8HHBM3E產(chǎn)品將供貨給英偉達(dá),并將應(yīng)用于NVIDIAH200TensorCoreGPU(第二季度開始發(fā)貨)。 據(jù)官方資料獲悉,美光HBM3e內(nèi)存基于1β工藝,采用TSV封裝、2.5D/3D堆疊,可提供......
2024-02-27 11:41:37
光互連與HBM的結(jié)合:三星在存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域的新動(dòng)向
光互連與HBM的結(jié)合:三星在存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域的新動(dòng)向1/24/2024,光纖在線訊,據(jù)逍遙科技整理。在高性能計(jì)算領(lǐng)域,如GPU等核心芯片對(duì)數(shù)據(jù)的渴望日益增長(zhǎng),高帶寬內(nèi)存(HBM)技術(shù)的重要性不斷提升。隨著應(yīng)用程序越來越依賴于大量數(shù)據(jù),提高HBM的速度成為了一個(gè)迫切的課題。本文綜述了三星、SK海力士和美光等領(lǐng)先內(nèi)存制造商,如何通過光互連技術(shù)和直接邏輯集......
2024-01-24 09:42:14