3/14/2013, OneChip光子日前推出針對(duì)數(shù)據(jù)中心等光互聯(lián)應(yīng)用的新的基于光子集成平臺(tái)PIC的100Gbps光器件。這些新器件基于OneChip的InP 工藝，利用一步外延生長(zhǎng)制作多功能的光集成器件。OneChip希望這些器件可以幫助100Gbps QSFP模塊廠商收縮模塊的尺寸。
OneChip表示他們的MGVI（Multi Guide垂直整合）工藝相比硅光子技術(shù)更有優(yōu)勢(shì)。硅光子的平臺(tái)需要在硅波導(dǎo)上外部邦定III-V族 半導(dǎo)體材料生產(chǎn)激光器，額外生長(zhǎng)鍺外延層實(shí)現(xiàn)探測(cè)器，這讓硅光子器件難以用普通的CMOS工藝生產(chǎn)。
OneChip表示他們單層外延生長(zhǎng)工藝的優(yōu)勢(shì)還在于可以同業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的InP電芯片工廠合作，支持大批量生產(chǎn)，因此大大改善了產(chǎn)品的經(jīng)濟(jì)性。也在今天，OneChip宣布同兩家InP芯片生產(chǎn)工廠GCS和IQE合作生產(chǎn)他們的產(chǎn)品。
此外OneChip的InP工藝還同HBT電子器件的工藝完全一樣，這標(biāo)志著OneChip可以在他們的芯片上集成TIA，調(diào)制器驅(qū)動(dòng)等電芯片。相比而言，硅光子工藝一直面對(duì)高速電器件和光器件都是InP材料的尷尬。
OneChip還將他們的解決方案同VCSEL方案進(jìn)行比較。OneChip認(rèn)為VCSEL方案不支持WDM, 不支持與單模光纖耦合，也難以經(jīng)濟(jì)地支持長(zhǎng)波長(zhǎng)工作。
OneChip公司CEO Jim Hjartarson表示，他們的解決方案滿足了模塊廠商開發(fā)低功耗，小尺寸，高速率的產(chǎn)品的需求，完全沒有硅光子技術(shù)遇到的各種問題。舉例來說，他們開發(fā)的PON模塊和BiDi組件已經(jīng)應(yīng)用到世界最大的PON設(shè)備廠商的產(chǎn)品中。
OneChip的新PIC產(chǎn)品包括：
100GbE LR4 WDM iRx (4x25G 集成接收), 集成了4個(gè)PIN，WDM和光斑轉(zhuǎn)換器SSC,
100GbE PSM4 iRx (4x25G 并行), 集成4個(gè)PIN 
100GbE PSM4 iTx (4x25G 并行), 一個(gè)DFB激光器 外接4個(gè)EAM調(diào)制器  預(yù)計(jì)2季度推出
100GE LR4 iTx (4x25G 集成發(fā)射), 四個(gè)DFB，四個(gè)EAM，集成WDM和SSC  預(yù)計(jì)4季度推出
OneChip另外有兩款40G PIC產(chǎn)品。OneChip將在OFC/NFOEC 2013上展示這些產(chǎn)品。