6/21/2005，美國匹茲堡大學消息，本征半導體受外界光激發(fā)時，價帶的電子會被激發(fā)到導帶，形成自由電子和自由空穴。由于庫侖相互作用，被激發(fā)的自由電子和空穴會結合在一起形成一種叫激子的準粒子（excitons，或譯電子空穴對）。激子有時候也由于可以和光子一樣攜帶能量被稱為重光子（1976年丁肇忠教授因為發(fā)現(xiàn)重光子的一種J粒子獲得諾貝爾物理獎），和光子不同的是它有質量。激子一般只能存活很短的時間，通常是萬億分之一秒，在這么短的時間內一般只能傳輸幾個微米就又重新變回光子從材料表面發(fā)射出去。6月10日出版的物理評論快報上，匹茲堡大學和貝爾實驗室的科學家合作的一篇文章中報道了一種能支持激子存活更久時間，傳輸更遠距離的2維半導體結構。這篇文章的題目是“雙量子阱結構中的激子長距離擴散”，作者之一，匹茲堡大學物理和天文系的助理教授David Snoke指出這一成果為未來的激子電路提供了可能。
通過一種特別的電場將激子分開，研究者們成功將激子的壽命延長到大約30微秒，傳輸距離也延長到1毫米。通過觀察發(fā)射出的光子，他們甚至能夠“看到”激子。Snoke指出研究中所用的半導體材料具有世界一流的品質。利用這一發(fā)現(xiàn)可以制造出激子電路，可以在未來的光存儲器件，光通信器件中應用。
文章的作者還包括 匹茲堡大學的研究生Zoltan Voros 和Ryan Balili以及貝爾實驗室的Loren Pfeiffer 和Kenneth West 。
我們在互聯(lián)網(wǎng)上發(fā)現(xiàn)了關于以上技術的來自國內科學家的類似報道。長春光學精密機械與物理研究所申德振，范希武為了提高光電器件的開關速度，曾經(jīng)首次提出了利用隧穿效應使激子壽命變短，從而達到提高器件的開關速度的設想。而實現(xiàn)激子隧穿效應的關鍵是所謂的非對稱雙量子阱(ADQW)結構。
對激子的進一步論述顯然超過了編輯現(xiàn)在的實際水平，但是關于激子的這些研究卻引起了編輯濃厚的興趣。沒有現(xiàn)在的這些研究，就不會有今后的光電子技術的發(fā)展。我們愿意在這里拋磚引玉，呼吁更多的作者為我們介紹國內外最新的科研成果進展，我們也愿意為科研單位的科研成果轉化提供力所能及的幫助。