11/13/2018， 去年年底從新加坡科技研究總局A*STAR旗下光集成芯片流片平臺IME剝離出來的硅基光電子芯片晶圓流片公司AMF（先進微晶圓線）日前宣布推出多層SiN-on-Si集成平臺，基于該平臺可以支持3D光子納米結(jié)構(gòu)的密集集成，實現(xiàn)高性能，小尺寸，低損耗，方便制造的光子集成器件。

AMF表示SiN-on-Si工藝相比傳統(tǒng)用于硅光器件的SOI工藝更有優(yōu)勢。該公司CEO Tan Yong Tsong博士指出，在類似超大規(guī)模LS光子集成芯片中，需要更高密度的片上光回路，SOI實現(xiàn)不了這么高的密度。為此，需要在硅層上面增加損耗更低的一層材料以滿足復雜的需求。

AMF指出SiN-on-Si工藝主要滿足一些特殊的需求，SiN的低損耗，低折射率（相對包層氧化層）也提高了制造便利性，適合制作AWG和其他產(chǎn)品。同時SiN-on-Si也支持實現(xiàn)高速調(diào)制器，鍺探測器，熱調(diào)器件的集成等。