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國家信息光電子創(chuàng)新中心等四單位研發(fā)的100G硅光收發(fā)芯片正式投產(chǎn)

光纖在線編輯部  2018-09-10 15:17:58  文章來源:綜合整理  版權(quán)所有,未經(jīng)許可嚴(yán)禁轉(zhuǎn)載.

導(dǎo)讀:

8/10/2018,日前,由國家信息光電子創(chuàng)新中心、光迅科技公司、光纖通信技術(shù)和網(wǎng)絡(luò)國家重點實驗室、中國信息通信科技集團聯(lián)合研制成功的“100G硅光收發(fā)芯片”正式投產(chǎn)使用。實現(xiàn)100G/200G全集成硅基相干光收發(fā)集成芯片和器件的量產(chǎn),并通過了用戶現(xiàn)網(wǎng)測試,性能穩(wěn)定可靠,為80公里以上跨距的100G/200G相干光通信設(shè)備提供超小型、高性能、通用化的解決方案。

該款商用化硅光芯片在一個不到30平方毫米的硅芯片上集成了包括光發(fā)送、調(diào)制、接收等近60個有源和無源光元件,是目前國際上已報道的集成度最高的商用硅光子集成芯片之一。該芯片完成封裝后,其硅光器件產(chǎn)品的尺寸僅為312平方毫米,面積為傳統(tǒng)器件的三分之一,可以全面滿足CFP/CFP2(外形封裝可插拔)相干光模塊的需求。

國家信息光電子創(chuàng)新中心專家委員會主任余少華院士表示:“硅材料來源豐富,成本低,機械性能、耐高溫能力非常好,便于芯片加工和封裝。借助集成電路已大規(guī)模商用的CMOS工藝平臺實現(xiàn)硅光芯片的生產(chǎn)制造,可以有效解決我國高端光電子芯片制造能力薄弱、工藝能力不足的問題。不過,硅材料屬間接帶隙半導(dǎo)體材料,需要解決硅基光源加工和眾多光元件集成難題;硅材料不存在線性電光效應(yīng)和光電探測功能,也需要解決調(diào)制器加工和鍺硅外延生長難題。加上硅光芯片對高端光器件的帶寬、集成度、性能、功耗、可靠性和成本等要求極高,使得多年來硅光芯片一直是我國光通信行業(yè)的一只攔路虎。此次工信部主導(dǎo)成立國家信息光電子創(chuàng)新中心,及時推動四家單位通力合作實現(xiàn)了100G硅光芯片的產(chǎn)業(yè)化商用,不僅展現(xiàn)出硅光技術(shù)優(yōu)勢,也表明我國已經(jīng)具備了硅光產(chǎn)品商用化設(shè)計的條件和基礎(chǔ)。我們十分期待未來幾年硅光技術(shù)在光通信系統(tǒng)中的大規(guī)模部署和應(yīng)用,推動我國自主硅光芯片技術(shù)向超高速超大容量超長距離、高集成度、高性能、低功耗、高可靠方向發(fā)展!

關(guān)鍵字: 100G 硅光 芯片
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