2/28/2018,在對高速硅光芯片研發(fā)持續(xù)大量投入的基礎(chǔ)上,  SiFotonics正式宣布成功開發(fā)新一代硅光波導(dǎo)型高靈敏度雪崩探測器 (APD) 芯片WA6001，該芯片成功實現(xiàn)了低暗電流 (10nA)，高響應(yīng)度（0.6A/W，包含了波導(dǎo)耦合損耗）和3-dB帶寬56GHz，高性能APD方案將助力400GbE數(shù)據(jù)中心和5G無線應(yīng)用的加速到來。

    為應(yīng)對無人駕駛、VR/AR、智慧城市、智慧家庭、物聯(lián)網(wǎng)等新興業(yè)務(wù)對數(shù)據(jù)中心和無線通信的龐大帶寬訴求，IEEE 400G標(biāo)準(zhǔn)和相關(guān)MSA (400GBASE-DR4, 400GBASE-FR4, 100GBASE-LR) 陸續(xù)在過去一兩個月中正式頒布。這些標(biāo)準(zhǔn)都采用了相對復(fù)雜的PAM4調(diào)制，這對系統(tǒng)鏈路中的功率預(yù)算有著更高的要求。56GHz波導(dǎo)型Ge/Si APD WA6001（圖1）的成功研制，標(biāo)志著可以在保證現(xiàn)有光纖鏈路不改變的情況下，彌補更復(fù)雜調(diào)制帶來的功率損失。

    圖1. 56GHz波導(dǎo)型Ge/Si APD（測試中）

   WA6001的研發(fā)是基于SiFotonics專屬的CMOS硅光生產(chǎn)線，采用特有的鍺硅材料生長設(shè)備和技術(shù)，該芯片克服了一系列硅光技術(shù)難題（如硅基上純鍺材料外延生長、Ge/Si器件暗電流問題、Ge/Si APD與無源波導(dǎo)集成問題等），是SiFotonics在高速Ge/Si APD領(lǐng)域持續(xù)投入帶來的突破。

    如下圖2 WA6001的S21測試結(jié)果所示，其3-dB帶寬在不同APD增益下分別達到了：56GHz（增益為1.8時），48GHz（增益為3.5時），42GHz（增益為6時），36GHz（增益為10時）。該結(jié)果遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過以往所有報道過的APD的性能，是目前硅光芯片達到的新高度。

圖2. 56GHz波導(dǎo)型Ge/Si APD在不同APD增益下的S21曲線

    SiFotonics 的研發(fā)副總黃夢園表示：“我們過去十年一直專注于高速Ge/Si APD的設(shè)計和開發(fā)，是因為始終堅信硅材料是最好的高速雪崩二極管材料。我們開發(fā)的10G Ge/Si APD達到了以往III-V族APD的性能；25G Ge/Si APD性能超越了III-V APD；這次推出的56G Ge/Si APD繼續(xù)書寫硅光器件可以達到的高度，WA6001的成功研制也是材料物理學(xué)的完美演繹�！�

    SiFotonics CEO潘棟博士表示：“通過選取合適的增益和帶寬，這款A(yù)PD可以有效滿足單波長100G和4x100G PAM4應(yīng)用中光傳輸?shù)逆溌奉A(yù)算和帶寬需求。波導(dǎo)結(jié)構(gòu)高靈敏度APD的實現(xiàn)，使得硅光集成的收發(fā)解決方案在400G數(shù)據(jù)中心和5G應(yīng)用上顯示出強大的競爭力。這款芯片的推出，代表著硅光技術(shù)目前令人激動的新進展。我們會很快推出面向數(shù)據(jù)中心應(yīng)用的400G集成收發(fā)芯片和1200G硅光相干收發(fā)芯片�！�

關(guān)于SiFotonics：
     SiFotonics Technologies是國際硅光子器件與集成技術(shù)的開創(chuàng)者與領(lǐng)導(dǎo)者，為客戶設(shè)計、制造和提供下一代高速光電集成解決方案。自2006年以來，公司一直致力于硅光子技術(shù)的研發(fā)與產(chǎn)品化，與CMOS Foundry合作開發(fā)專屬硅光產(chǎn)線。SiFotonics已實現(xiàn)鍺硅光電探測器 (Ge/Si PIN)、鍺硅雪崩光電探測器 (Ge/Si APD) 等產(chǎn)品的量產(chǎn)化，現(xiàn)已向市場全面推出10G/25G/56G PIN和APD芯片及其陣列，覆蓋波長范圍850nm~1577nm。目前該產(chǎn)線也已完成硅光子集成技術(shù)的相關(guān)工藝調(diào)試，并成功試產(chǎn)高性能100G相干接收機芯片CR4Q01。