1/23/2019, 光纖在線美國Fremont消息，在本月29日到31日于美國Santa Clara舉辦的新一屆DesignCon大會上，一組OIF專家將會介紹和討論進行中的關(guān)于CEI（通用電氣輸入輸出）-112G接口的工作。1月31日下午3點45分，OIF專家將會圍繞CEI-112G MCM, XSR, VSR, MR以及LR等進行分享。參加討論的OIF專家包括來自Kandou Bus的Brian Holden，博通的Cathy Liu,Keysight的Steve Sekel以及TE Connectivity的Nathan Tracy，他也是OIF主席。

112Gb/s電接口的應(yīng)用包括了裸芯片到裸芯片，芯片到模組，芯片到芯片以及基于背板和線纜的長距離傳輸?shù)取?000年以來，OIF為CEI一直在進行互通協(xié)議IA的定義。CEI的文檔定義了6Gbps，11Gbps, 28Gbps，56Gbps下互通電通道的互通接口規(guī)范，112Gbps的標準正在制定中。2016年8月，首個CEI-112G項目組成立，如今已經(jīng)擴展到5個項目。

OIF主席Tracy指出，OIF以往制定的標準被廣泛使用，并產(chǎn)生了很大的影響，被許多其他高速互通接口標準所借鑒。在112Gbps標準領(lǐng)域，OIF的專家將會向業(yè)界介紹這個領(lǐng)域的方向和挑戰(zhàn)。

CEI-112G IA目前主要的問題在于信號完整性，實現(xiàn)的復(fù)雜度以及測量等問題。在高速下，信號更容易發(fā)生損害，導(dǎo)致串擾等現(xiàn)象發(fā)生。交換速度和SerDes的密度沒有跟上其他領(lǐng)域硅芯片的進展。最后，足夠精確地探測和重復(fù)捕捉這些信號也是問題。