4/23/2013，近日，科技部發(fā)布了關于發(fā)布國家863計劃、科技支撐計劃2014年備選項目征集指南的通知。其中，涉及光通信產(chǎn)業(yè)的光收發(fā)模塊、ROADM、光互連芯片等多個項目。項目實施年限原則上為3年，國撥經(jīng)費申報額度參見每個研究方向的具體要求。

　　國家高技術研究發(fā)展計劃（以下簡稱“863計劃”）以解決事關國家長遠發(fā)展和國家安全的戰(zhàn)略性、前沿性和前瞻性高技術問題為核心，重點落實《國家中長期科學和技術發(fā)展規(guī)劃綱要（2006-2020年）》（以下簡稱《綱要》）提出的前沿技術研究任務和部分重點領域中的重大研究任務。計劃實施突出國家戰(zhàn)略目標和重大任務導向，堅持攻克前沿核心技術，搶占戰(zhàn)略制高點；堅持研發(fā)關鍵共性技術，培育戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)生長點。

　　國家科技支撐計劃（以下簡稱“支撐計劃”）面向國民經(jīng)濟和社會發(fā)展的重大科技需求，落實《綱要》重點領域及優(yōu)先主題的任務部署，堅持自主創(chuàng)新，突破關鍵技術，加強技術集成應用和產(chǎn)業(yè)化示范，重點解決戰(zhàn)略性、綜合性、跨行業(yè)、跨地區(qū)的重大科技問題。

　　2014年863計劃和支撐計劃包括，新材料、交通、先進能源、先進制造、信息、地球觀測與導航、資源及環(huán)境、生物和醫(yī)藥、人口與健康、海洋、現(xiàn)代農(nóng)業(yè)等11個領域備。其中，涉及光通信產(chǎn)業(yè)的備選項目歸納如下。

　　國家高技術研究發(fā)展計劃（863計劃）信息技術領域2014年度備選項目征集指南

　　指南方向與內(nèi)容

　　3.微電子與光電子技術

　　3.5寬帶模擬通信用光收發(fā)陣列芯片與模塊

　　為滿足4G移動通信中寬頻帶傳輸和低功耗無線接入的重大需求，研究高線性直接調(diào)制激光器陣列芯片、高頻大功率光探測器陣列芯片、陣列芯片模塊化耦合封裝、多制式寬頻帶光載無線傳輸與分配等關鍵技術，并進行系統(tǒng)示范應用，填補國內(nèi)高線性模擬通信光收發(fā)模塊的空白。下設2個研究方向。

　　3.5.1高線性激光器和光探測器陣列芯片（國撥經(jīng)費限1100 萬元，實施年限3年）

　　針對光載無線（RoF）組網(wǎng)技術對激光器和光探測器的要求，研制出模擬通信激光器陣列芯片，研制1310nm波段4通道模擬通信激光器陣列芯片和大功率光探測器陣列芯片，高頻響應覆蓋X波段以下頻率范圍，激光器單信道出纖光功率大于6dBm、光探測器飽和光功率大于5dBm。

　　3.5.2寬頻帶光收發(fā)模塊與系統(tǒng)驗證（國撥經(jīng)費限1100萬元，實施年限3年）

　　針對光載無線（RoF）組網(wǎng)技術對光發(fā)射機和光接收機的要求，研究大動態(tài)直接調(diào)制激光器和探測器集成芯片的微波封裝技術，研制傳輸帶寬大于10GHz的4通道模擬通信光收發(fā)模塊，傳輸距離大于10km，并完成系統(tǒng)實驗驗證。

　3.6可重構光分插復用核心光子器件

　　面向任意波長、任意方向、無阻塞高速光路由器，研制可重構光分插復用（ROADM）中，波長選擇開關及寬帶可調(diào)濾波器陣列等核心光子芯片技術，在多端口、高速切換、多功能陣列芯片集成等方面取得重要突破，填補大容量數(shù)據(jù)交換技術的空白。下設2個研究方向。

　　3.6.1波長選擇開關及寬帶可調(diào)濾波器陣列（國撥經(jīng)費限900萬元，實施年限3年）

　　針對下一代ROADM的要求，研究空間光束的大角度偏轉(zhuǎn)技術、空間光束無縫分割技術、無柵格光譜分割技術，實現(xiàn)端口數(shù)為8×16、寬帶設置范圍為40nm無柵格波長選擇開關芯片；研制帶內(nèi)平坦度小于0.5dB寬帶可調(diào)16通道光濾波器陣列芯片。

　　3.6.2陣列芯片的模塊化封裝與系統(tǒng)驗證（國撥經(jīng)費限限1100 萬元，實施年限3年）

　　針對下一代ROADM的要求，研究波長選擇開關及寬帶可調(diào)濾波器陣列的模塊化封裝技術，實現(xiàn)切換時間小于250ms、插入損耗小于9dB無柵格波長選擇開關模塊；實現(xiàn)插入損耗小于6dB、回波損耗大于40dB寬帶可調(diào)光濾波器陣列模塊；并實現(xiàn)滿足任意波長、任意方向、無阻塞ROADM的系統(tǒng)演示驗證。

　　3.7 100Gb/s中長距離光互連芯片及模塊

　　研究100Gb/s光互連芯片技術，突破4×25Gb/s直接調(diào)制激光器（DML）陣列芯片、4×25Gb/s電吸收調(diào)制器與DFB激光器集成器件（EML）陣列芯片和4×25Gb/s光電探測器陣列芯片制備關鍵技術，實現(xiàn)100Gb/s光互連的業(yè)務演示。下設2個研究方向。

　　3.7.1 1310nm波段4×25Gb/s激光器和探測器陣列芯片（國撥經(jīng)費限1500 萬元，實施年限3年）

　　研制4通道直接調(diào)制激光器（DML）陣列和電吸收調(diào)制器與DFB激光器集成器件（EML）陣列兩類光發(fā)射芯片，調(diào)制速率均大于28Gb/s，動態(tài)消光比分別大于6dB和10dB，發(fā)射波長為1310nm波段中符合ITU-T規(guī)范的4個波長，波長信道間隔400GHz，邊模抑制比大于35dB。研制4通道高速光電探測器陣列芯片，工作速率大于28Gb/s。

　　3.7.2 100Gb/s光互連光收發(fā)模塊及系統(tǒng)驗證（國撥經(jīng)費限1000萬元，實施年限3年）

　　研究滿足IEEE 802.3 標準的100Gb/s光互連4通道直接調(diào)制激光器（DML）陣列和電吸收調(diào)制器，DFB激光器集成器件（EML）陣列光收發(fā)模塊，單通道工作速率大于25Gb/s、功耗小于3.5W、工作溫度范圍0-70攝氏度，兩類光收發(fā)模塊傳輸距離分別大于10km和40km，并進行系統(tǒng)示范驗證。

    另外，SDN技術也入選國家高技術研究發(fā)展計劃（863計劃）信息技術領域2014年度備選項目征集指南。

　　1.1軟件定義網(wǎng)絡（SDN）關鍵技術研發(fā)與示范

　　研究SDN體系架構，關鍵技術及網(wǎng)絡設備，構建SDN示范網(wǎng)絡。研究網(wǎng)絡控制與數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)發(fā)分離、服務與資源動態(tài)感知和協(xié)同技術；研制SDN核心設備、軟件協(xié)議棧及相應原型系統(tǒng)；進行示范應用。下設3個研究方向。

　　1.1.1軟件定義網(wǎng)絡（SDN）體系、機制與架構研究（國撥經(jīng)費限700萬，實施年限3年）

　　提出支持控制平面與數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)發(fā)平面分離，支持靈活控制和開放功能的SDN網(wǎng)絡體系架構，在開放環(huán)境下實現(xiàn)高效、節(jié)能、智能和優(yōu)化的組網(wǎng)能力和業(yè)務提供機制。向IETF/ITU等國際標準組織提交標準草案。

　　1.1.2支持資源彈性調(diào)度的軟件定義網(wǎng)絡（SDN）關鍵技術研究與設備研制（國撥經(jīng)費限1000萬，企業(yè)牽頭申報，實施年限3年）

　　研究支持多業(yè)務動態(tài)感知和檢測的SDN技術，提出多業(yè)務實時狀態(tài)分析以及應用需求動態(tài)交互的機制，實現(xiàn)應用層對資源需求的動態(tài)彈性調(diào)度。向IETF/ITU等國際標準組織提交標準草案；研制支持資源彈性調(diào)度的軟件定義網(wǎng)絡控制設備及數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)發(fā)設備，數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)發(fā)設備的整機交換容量不低于20Tbps、單槽位轉(zhuǎn)發(fā)能力不低于1Tbps。網(wǎng)絡控制設備具有實時控制和管理至少100臺數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)發(fā)設備的能力。

　　1.1.3軟件定義網(wǎng)絡（SDN）驗證與示范（國撥經(jīng)費限1800萬，企業(yè)牽頭申報，實施年限3年）

　　驗證方向1.1.2的設備研制成果，構建網(wǎng)絡控制中心平臺，搭建不少于2個城市、6個核心節(jié)點的跨區(qū)域異地示范試驗系統(tǒng)，進行大規(guī)模數(shù)據(jù)分發(fā)測試和數(shù)據(jù)中心建設，完成網(wǎng)絡驗證與評估示范應用。