4/24/2018,國際領(lǐng)先的硅光技術(shù)公司之一SiFotonics近日正式推出面向下一代數(shù)據(jù)中心的400G DR4硅光全集成芯片MP5041，及單通道100G DR1集成芯片MP5001。

面向400G DR4的MP5041芯片集成了超過30個(gè)有源/無源硅光器件（包括4通道53GBaud硅基MZ調(diào)制器，4通道53GBaud波導(dǎo)Ge/Si探測(cè)器，光功率監(jiān)控探測(cè)器，在片負(fù)載，在片電容，以及多個(gè)無源波導(dǎo)器件等）。這款高度集成芯片的整體面積在幾十mm2量級(jí)，滿足下一代400G小型化模塊（如QSFP56-DD, COBO等）的尺寸需求。這種高集成度解決方案將為數(shù)據(jù)中心400G傳輸帶來封裝難度和成本的大幅下降，這對(duì)400G的大規(guī)模商用至關(guān)重要。

MP5041芯片中的硅光調(diào)制器采用了SiFotonics的最新結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和優(yōu)化工藝，插入損耗和驅(qū)動(dòng)電壓均較低，器件的高帶寬特性使得在高速工作時(shí)仍能保證較大的消光比，所有重要指標(biāo)滿足400G DR4模塊發(fā)射端應(yīng)用要求。下圖是該調(diào)制器50G的NRZ光眼圖：


           測(cè)試條件: Vpp=3V, 50Gb/s NRZ, RT

此外，該集成芯片中探測(cè)器也采用了SiFotonics的最新波導(dǎo)探測(cè)器設(shè)計(jì)，同時(shí)實(shí)現(xiàn)了高帶寬、高響應(yīng)度和低暗電流，所有重要指標(biāo)滿足400G DR4模塊接收端應(yīng)用要求。下圖是該探測(cè)器S21曲線：

           測(cè)試條件:-13dBm, 50-Ohm load, RT

除了4通道集成芯片以外，SiFotonics也同步推出了單通道100G DR解決方案MP5001。該芯片集成了單通道53GBaud硅基MZ調(diào)制器和單通道53GBaud波導(dǎo)Ge/Si探測(cè)器，以及相應(yīng)的有源/無源硅光器件。該芯片將助力100G DR在數(shù)據(jù)中心和5G無線傳輸中的應(yīng)用。

隨著數(shù)據(jù)中心100G的大規(guī)模應(yīng)用，400G的大規(guī)模應(yīng)用就在2019-2020左右發(fā)生。SiFotonics CEO潘棟博士表示：“由于硅光的特性，例如缺乏激光器和較大的調(diào)制器損耗，一開始，我們布局于開發(fā)高靈敏度探測(cè)器的制作來彌補(bǔ)硅光器件的損耗要求。現(xiàn)在，經(jīng)過十年的原創(chuàng)積累，我們的北京團(tuán)隊(duì)和半導(dǎo)體CMOS廠緊密合作，走出一條新路，已全面掌握了材料、光器件設(shè)計(jì)及制作工藝（包括完整的PDK），特別是光集成芯片的集成技術(shù)。自有的芯片設(shè)計(jì)到流片，可在3個(gè)月左右完成，使得我們可以在過去一年中相繼推出國際領(lǐng)先的56GBaud高靈敏度APD芯片，100G/400G 相干接收機(jī)，現(xiàn)在又推出針對(duì)400G的DR4芯片。我們認(rèn)為在400G數(shù)據(jù)中心和相干技術(shù)的應(yīng)用上，硅光的優(yōu)勢(shì)會(huì)十分明顯，硅光技術(shù)的大規(guī)模應(yīng)用會(huì)很快到來�！�

關(guān)于SiFotonics：
SiFotonics Technologies是國際硅光子器件與集成技術(shù)的開創(chuàng)者與領(lǐng)導(dǎo)者，為客戶設(shè)計(jì)、制造和提供下一代高速光電集成解決方案。自2006年以來，公司一直致力于硅光子技術(shù)的研發(fā)與產(chǎn)品化，與CMOS Foundry合作開發(fā)專屬硅光產(chǎn)線。SiFotonics已實(shí)現(xiàn)鍺硅光電探測(cè)器 (Ge/Si PIN)、鍺硅雪崩光電探測(cè)器 (Ge/Si APD) 等產(chǎn)品的量產(chǎn)化，現(xiàn)已向市場(chǎng)全面推出10G/25G/56G PIN和APD芯片及其陣列，覆蓋波長范圍850nm~1577nm。目前該產(chǎn)線也已完成硅光子集成技術(shù)的相關(guān)工藝調(diào)試，并成功試產(chǎn)高性能100G相干接收機(jī)芯片CR4Q01。