SiFotonics公司最近在硅光電子領(lǐng)域中取得了決定性的突破：SiFotonics研發(fā)的正面入射型高速鍺硅雪崩二極管(APD), 在幾乎所有的通信波段的性能全面超越傳統(tǒng)III-V族材料APD（例如，10G Ge/Si APD ROSA在1310nm和1550nm靈敏度達(dá)到了-29.5dBm），這是硅光有源芯片里程碑式的進(jìn)展。下圖是Ge/Si 10G APD的靈敏度測(cè)試結(jié)果：


SiFotonics Ge/Si APD是一款技術(shù)革命性產(chǎn)品，目前, SiFotonics Ge/Si APD性能迅速得到了來自美國，中國和日本光通信公司的認(rèn)可。公司CEO潘棟博士談到："近十年來硅光技術(shù)一直非�；馃�，雖然硅光產(chǎn)品有明顯的成本優(yōu)勢(shì)，但市場(chǎng)占有率很低，其根本原因是硅光產(chǎn)品和傳統(tǒng)III-V族產(chǎn)品過去在性能上有一定的差距。 由于高性能APD芯片是光通訊領(lǐng)域用量最大的產(chǎn)品之一, 因此SiFotonics Ge/Si APD性能上的突破性進(jìn)展，意味著硅光產(chǎn)品開始大規(guī)模的進(jìn)入光通訊領(lǐng)域, 例如光纖到戶, 100G/400G云計(jì)算數(shù)據(jù)中心等。因?yàn)楣韫庑酒? 很適合大批量規(guī)模生產(chǎn), 我們期待在未來幾年里會(huì)在市場(chǎng)上迅速占有大量的市場(chǎng)份額”.  

 

SiFotonics作為硅光領(lǐng)域中的國際頂尖公司之一，在過去八年中, 一直致力于高速Ge/Si器件和光電集成器件的研發(fā)和生產(chǎn)。該公司的高速Ge/Si雪崩二極管是由國際一流CMOS Foundry代工生產(chǎn)，保證了其良好的可靠性，良率，重復(fù)性和一致性。

 

”高性能硅光APD芯片的引入, 不僅對(duì)傳統(tǒng)的光通信市場(chǎng)是利好, 更可以加速目前硅光集成芯片在100G/400G, 例如PAM4,PSM4上的市場(chǎng)化步伐”, 公司的中國市場(chǎng)VP黃水清補(bǔ)充說, “ 公司預(yù)計(jì)明年推出量產(chǎn)版的100G的光電集成芯片”.