6/25/2012，索尼和住友電氣工業(yè)試制出了綠色半導(dǎo)體激光器，振蕩波長(zhǎng)為530nm，連續(xù)振蕩時(shí)可實(shí)現(xiàn)100mW以上的光輸出功率。2009年住友電工曾發(fā)表振蕩波長(zhǎng)為531nm的綠色半導(dǎo)體激光器，但當(dāng)時(shí)只是脈沖振蕩。此次試制品的光電轉(zhuǎn)換效率為8％以上。 

　　此次的綠色半導(dǎo)體激光器是在GaN（氮化鎵）基板的半極性面上生成GaN類半導(dǎo)體結(jié)晶制成的，活性層采用InGaN，GaN基板由住友電工制造。 

　　活性層使用InGaN的普通半導(dǎo)體激光器，其GaN結(jié)晶的極性面、即c面（0001）為生長(zhǎng)面，以其法線方向（C軸）為生長(zhǎng)軸，由此層疊InGaN層等。藍(lán)光光盤使用的藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光器以及投影儀光源使用的藍(lán)色半導(dǎo)體激光器利用的也是c面。但是，利用c面時(shí)，在“壓電電場(chǎng)”影響下波長(zhǎng)很難在藍(lán)色波段的基礎(chǔ)上再使波長(zhǎng)增長(zhǎng)到綠色波段。 

　　此次利用的半極性面是指相對(duì)c面傾斜的面，具體利用的是｛2021｝面。從理論上說(shuō)，利用GaN結(jié)晶的半極性面能夠減弱壓電電場(chǎng)的影響。 

　　由于InGaN層結(jié)晶構(gòu)造歪斜而產(chǎn)生的壓電極化，c軸方向會(huì)產(chǎn)生壓電電場(chǎng)，因此，沿著從c軸方向傾斜的方向設(shè)定InGaN層的生長(zhǎng)軸，可減弱電壓電場(chǎng)對(duì)生長(zhǎng)軸方向的影響。 

　　索尼及住友電工此次未公布相關(guān)細(xì)節(jié)，但表示除了利用半極性面之外，還對(duì)半導(dǎo)體激光器的構(gòu)造、電極及結(jié)晶生長(zhǎng)等制造工藝進(jìn)行了全面改進(jìn)。 

　　綠色半導(dǎo)體激光器設(shè)想的主要用途為投影儀光源。據(jù)介紹，通過組合紅色和藍(lán)色的半導(dǎo)體激光器，可實(shí)現(xiàn)NTSC比182％的色彩再現(xiàn)范圍。另外，綠色半導(dǎo)體激光器的實(shí)用化日期尚未確定。

來(lái)源：《日經(jīng)電子》