12/28/2011，美國普渡大學(xué)（Purdue University）和中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所宣布，該大學(xué)研究人員僅利用與CMOS技術(shù)具有兼容性的硅類材料制成的無源元件實現(xiàn)了“光二極管”（英文發(fā)布資料）。該元件設(shè)想使用光通信中使用的波長為1.5～1.6μm的光。正向?qū)�入光信號時與反向?qū)�入光信號時的信號功率比約為20dB以上。詳細內(nèi)容已刊登在學(xué)術(shù)雜志《科學(xué)》（Science）的電子版上。 

   據(jù)悉，以前的光隔離器大多利用法拉第元件等具有磁光學(xué)效應(yīng)的能動元件來制造。要想用無源元件來實現(xiàn)光隔離器，從原理上講很難。同時在普渡大學(xué)和中科院掛職的齊明豪的研究小組全球首次開發(fā)出了由無源元件制成的光隔離器、即“光二極管”。 

   此前，中國南京大學(xué)和美國加州理工大學(xué)的研究人員，加州理工大學(xué)從事博士后研究的馮亮等人設(shè)計出了一種包含半導(dǎo)體鍺、金屬鉻的硅制波導(dǎo)，能夠?qū)崿F(xiàn)光線的單向傳輸，即“光二極管”，也就是芯片級光隔離器。該研究也發(fā)表在《科學(xué)》雜志上。