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納米封裝與互聯(lián)技術(shù)研究新進(jìn)展

光纖在線編輯部  2011-10-24 09:31:50  文章來源:本站消息  版權(quán)所有,未經(jīng)許可嚴(yán)禁轉(zhuǎn)載.

導(dǎo)讀:

10/24/2011,光纖在線訊 隨著系統(tǒng)級封裝(SiP)、三維集成和半導(dǎo)體照明技術(shù)的發(fā)展,對電子器件散熱提出了新的要求,迫切需要發(fā)展新型低熱阻封裝材料和技術(shù)。由于碳納米管(CNT)具有優(yōu)良的力學(xué)、熱學(xué)、電學(xué)和化學(xué)特性,使其成為一種非常理想的熱界面材料(TIM),特別是在惡劣環(huán)境下(如軍用、航空、航天電子產(chǎn)品應(yīng)用的極端高、低溫環(huán)境),基于CNT的熱界面材料更顯示出其獨(dú)特的技術(shù)優(yōu)勢(如滿足大的熱失配,使用溫度范圍廣等)。但在實(shí)際應(yīng)用中,定向生長CNT難以與基板間形成有效鍵合,界面接觸熱阻高,提高CNT與基板間的結(jié)合強(qiáng)度是降低該界面熱阻的關(guān)鍵。
    武漢光電國家實(shí)驗(yàn)室微光機(jī)電系統(tǒng)(MOEMS)學(xué)術(shù)團(tuán)隊(duì)陳明祥、宋曉輝、甘志銀和劉勝等人基于納米尺度效應(yīng),提出了一種低溫?zé)釅烘I合技術(shù),實(shí)現(xiàn)了定向生長CNT與基板間的低溫(150℃)低壓鍵合,相關(guān)研究成果發(fā)表在Nanotechnology上(Nanotechnology,22,2011,345704),并成為該期雜志的封面文章(Cover story)。論文評閱人對該項(xiàng)研究給予了高度評價,“The manuscript topic is very interesting and it could have high technological impact”。目前,該技術(shù)已獲授權(quán)發(fā)明專利(ZL 200910062842.9)。

    此外,為實(shí)現(xiàn)納米互連,該課題組還采用感應(yīng)局部加熱技術(shù),成功實(shí)現(xiàn)了CNT與金屬電極間的有效焊接,使接觸電阻降低90%。相關(guān)研究成果發(fā)表在Sensors and Actuators 上(Sensors and Actuators A,170,2011,202–206)。

     上述研究工作得到了國家自然科學(xué)基金項(xiàng)目(50875012和51075171)和科技部“863計(jì)劃”項(xiàng)目(2006AA04Z328)資助。相關(guān)研究為納米封裝與互連、低熱阻封裝技術(shù)研發(fā)開辟了新思路,對促進(jìn)光電集成技術(shù)發(fā)展和功率器件研發(fā)具有推動作用。
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