7/31/2007，日經(jīng)BP社報(bào)道，英特爾宣布，利用硅開發(fā)出了40Gbps的超高速的光調(diào)制器。該公司曾于2005年5月利用硅開發(fā)出了10Gbps的光調(diào)制器。今后，該公司還計(jì)劃將25個(gè)40Gbps光調(diào)制器集成在一枚芯片上，實(shí)現(xiàn)1Tbps的傳輸容量，以用于超級(jí)計(jì)算機(jī)的板卡間通信等。 
　　新產(chǎn)品為MZI型，這與該公司05年發(fā)布的10Gbps光調(diào)制器相同，不過此次“通過調(diào)整行波電極的設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了40Gbps的調(diào)制”（英特爾）。行波電極是在光和高頻電信號(hào)前進(jìn)的方向上，根據(jù)相位在一定距離設(shè)置的相互作用電極。其特點(diǎn)是調(diào)制效率高，易于實(shí)現(xiàn)高速化及低壓驅(qū)動(dòng)。 
　　英特爾已經(jīng)將采用上述光調(diào)制器實(shí)現(xiàn)的30Gbps調(diào)制成果發(fā)表在了2007年1月22日的光通信技術(shù)學(xué)術(shù)雜志《Optics Express》上。并在2007年7月8～11日于美國(guó)猶他州舉行的國(guó)際會(huì)議“Integrated Photonics and Nanophotonics Research and Applications”上，宣布傳輸速度達(dá)到了40Gbps。