Eblana, Vitesse創(chuàng)新激光器制作工藝
光纖在線編輯部 2005-01-28 10:37:22 文章來(lái)源：綜合整理 版權(quán)所有,未經(jīng)許可嚴(yán)禁轉(zhuǎn)載.
導(dǎo)讀：
1/27/2005，愛(ài)爾蘭Eblana光子公司和美國(guó)Vitesse半導(dǎo)體公司今天宣布利用Vitesse的4號(hào)InP集成電路生產(chǎn)線生產(chǎn)高品質(zhì)的低閾值單模激光器。這是業(yè)內(nèi)第一次利用現(xiàn)成的InP IC生產(chǎn)線生產(chǎn)2.5G激光器。產(chǎn)品在常溫下閾值電流12mA，邊模抑制比達(dá)到40dB，輸出功率20mW。Vitesse標(biāo)準(zhǔn)的InP HBT流程結(jié)合Eblana的獨(dú)特的regrowth-free激光技術(shù)是實(shí)現(xiàn)這一成就的關(guān)鍵。雙方表示他們的合作將大幅度降低激光器的制作成本，并從長(zhǎng)遠(yuǎn)看來(lái)將促進(jìn)光子集成技術(shù)的發(fā)展。
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