10/20/2003,深圳飛通光電股份有限公司10.5期間承擔(dān)的國(guó)家"863"項(xiàng)目"10gb/s光接收組件"子項(xiàng)10ghz pd芯片目前又取得重大進(jìn)展,在期間10ghz pd芯片的基礎(chǔ)上(主要是偏置電壓較高,約10v),通過優(yōu)化外延材料結(jié)構(gòu),目前又成功研制出低偏壓下使用的實(shí)用化10ghz pd芯片,該芯片用同軸耦合封裝形式做出的測(cè)試器件,用8703光波元件分析儀測(cè)試,在3v偏壓下的3db帶寬達(dá)到10ghz。芯片其它主要技術(shù)指標(biāo)見下表;響應(yīng)度大于0.75a/w,暗電流小于0.5ha,擊穿電壓30v以上。芯片帶寬受封裝影響,實(shí)際裸芯片的帶寬優(yōu)于測(cè)試值。該芯片主要用于10gb/s的光接收組件,也可用于其它高速光信號(hào)處理。
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