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體驗硅發(fā)光技術(shù)的進展:小型化也取得巨大進展

光纖在線編輯部  2013-05-13 14:56:39  文章來源:原文轉(zhuǎn)載  

導(dǎo)讀:

5/13/2013,小型化也取得巨大進展 瞄準(zhǔn)芯片間光傳輸?shù)牟考囍埔惨呀?jīng)展開。由日本內(nèi)閣府提供支援的研究開發(fā)組織光電子融合系統(tǒng)基礎(chǔ)技術(shù)開發(fā)(PECST)試制的光收

小型化也取得巨大進展

  瞄準(zhǔn)芯片間光傳輸?shù)牟考囍埔惨呀?jīng)展開。由日本內(nèi)閣府提供支援的研究開發(fā)組織“光電子融合系統(tǒng)基礎(chǔ)技術(shù)開發(fā)(PECST)”試制的光收發(fā)器IC注3)達到了目前世界最高的集成度和傳輸容量密度。PECST于2012年9月發(fā)布了可在1cm2的硅芯片上、集成526個數(shù)據(jù)傳輸速度為12.5Gbps的光收發(fā)器的技術(shù)注4),數(shù)據(jù)傳輸容量密度相當(dāng)于約6.6Tbit/秒/cm2。主要用于負責(zé)LSI間大容量數(shù)據(jù)傳輸?shù)墓廪D(zhuǎn)接板(圖4)。



           圖4:芯片間布線駛?cè)搿肮獾母咚俟贰?

本圖為東京大學(xué)荒川研究室與PECST開發(fā)的LSI間數(shù)據(jù)傳輸用光轉(zhuǎn)接板的概要。除了作為光源的激光元件外,都使用CMOS兼容技術(shù)集成到了SOI基板上。激光元件也可以利用普通的貼片機安裝到芯片上。(圖片:右為PECST)

    注3)PECST是以在2025年實現(xiàn)“片上數(shù)據(jù)中心”、即在硅芯片上實現(xiàn)數(shù)據(jù)中心功能為目標(biāo)成立的研究開發(fā)組織。2010年3月開始研究工作。

  注4) 該光收發(fā)器每組所占面積為0.19mm2。除激光元件外全部利用CMOS兼容技術(shù)實現(xiàn)。

  這次發(fā)布具有劃時代的意義,該技術(shù)解決了各元件的尺寸過大、難以實現(xiàn)短距離傳輸和高密度集成的原有課題。常有人把光傳輸比喻為“飛機”運輸,而把電傳輸比喻為“鐵路”或“汽車”運輸,如果是跨海的長距離運輸,使用飛機比較合適,但如果只是向幾公里遠的相鄰城市運輸貨物則不適合使用飛機。因為不僅有燃料的問題,飛機起降所需的“機場”也太大。而光傳輸中相當(dāng)于“機場”的光收發(fā)器的尺寸原來就非常大,有數(shù)cm見方,不適合1cm距離的傳輸(圖5)。

  從PECST的試制品上,能看到在面積1cm2的芯片上集成多個光收發(fā)器IC的可能性。光收發(fā)器IC和構(gòu)成元件的小型化幾乎直接關(guān)系到低耗電量化。因為元件面積小的話,元件容量也小。通過推進元件尺寸的小型化,一舉改善了光傳輸?shù)暮碾娏亢图啥冗@兩項課題。



           圖5:即將實現(xiàn)10Tbit/秒/cm2的傳輸容量密度

本圖為光傳輸用收發(fā)器的小型化以及伴隨小型化的集成度提高情況。通過小型化提高集成度的話,傳輸容量密度也會提高。目前的最高傳輸容量密度為PECST實現(xiàn)的6.6Tbit/秒/cm2。PECST預(yù)計2013年上半年將實現(xiàn)10Tbit/秒/cm2。

  開發(fā)獨特的核心技術(shù)群

  PECST的光收發(fā)器的實現(xiàn)主要依靠四項核心技術(shù)(圖6),分別為(1)作為光源的激光陣列元件、(2)連接光源與硅波導(dǎo)的光斑尺寸轉(zhuǎn)換器(SSC)、(3)Mach-Zehnder型光調(diào)制器*、(4)鍺光敏元件。



           圖6:實現(xiàn)6.6Tbit/秒/cm2傳輸容量密度的核心要素

本圖為東京大學(xué)荒川研究室與PECST實現(xiàn)6.6Tbit/秒/cm2傳輸容量密度的技術(shù)要點。激光元件方面,開發(fā)出了大規(guī)模陣列化的技術(shù);大幅降低了光斑尺寸轉(zhuǎn)換器的損失;光調(diào)制器的尺寸縮小至原來的1/4;鍺光敏元件也實現(xiàn)了2倍以上的高速化。(圖片:PECST)

  *Mach-Zehnder(馬赫-曾德爾)型光調(diào)制器=光干涉儀的一種,一般是把同一光源的光分成兩束,對其中一束實施相位控制等處理后,再與另一束光耦合。

 。1)激光陣列元件以約30μm的間距成功地配置了13通道的激光二極管(LD)。PECST稱“目前已經(jīng)制作出104通道的元件”。

 。2)SSC把以往的一條錐形波導(dǎo)改為三條波導(dǎo)構(gòu)成,從而大幅降低了光耦合損失。而且,在硅上安裝激光陣列元件時的位置對準(zhǔn)精度也大幅放寬,為0.9μm。

    解決了調(diào)制器的兩個課題

  對光收發(fā)器的小型化貢獻最大的是(3)光調(diào)制器的開發(fā)。以前,Mach-Zehnder型光調(diào)制器為了補償調(diào)制效率低的問題,需要較長的路徑長度。原來長度為1cm以上,最近縮短到了1mm左右,而此次大幅縮短至250μm。這是通過將pin型二極管像梳子齒一樣垂直配置在硅波導(dǎo)上,把調(diào)制效率提高到原來的4倍實現(xiàn)的。

  PECST開發(fā)的光調(diào)制器通過改變硅波導(dǎo)和附近的載流子密度來改變折射率。此時的課題是如何兼顧波導(dǎo)中的光密封和在不妨礙光的范圍內(nèi)提高載流子密度的控制。此次的設(shè)計通過將載流子出入口設(shè)計成篦子齒那樣細密,不讓光從這里漏出,從而解決了這一個課題。

 。4)鍺光敏元件通過由原來的pin型構(gòu)造改為元件容量小的MSM構(gòu)造*,實現(xiàn)了2倍以上的高速動作。

  *MSM(金屬-半導(dǎo)體-金屬)構(gòu)造是光電二極管(PD)的一種,半導(dǎo)體與兩枚金屬電極組合的構(gòu)造。

  擴大傳輸容量密度方面,PECST也有了頭緒。其主要研究人員——東京大學(xué)先端科學(xué)技術(shù)研究中心教授荒川泰彥2012年改進了光調(diào)制器的電極設(shè)計,將其所占面積進一步縮小到了原來的1/5以下;拇ń淌诒硎,“將其用于光收發(fā)器IC集成的話,預(yù)計可實現(xiàn)10Tbit/秒/cm2的目標(biāo)傳輸容量密度”。

來源:電子發(fā)燒友網(wǎng)
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