—公司實現(xiàn)了半導(dǎo)體制造發(fā)展的里程碑式進(jìn)步—
    8/1/2007,圣迭戈，2007年8月1日——高通公司（Nasdaq：QCOM）今天宣布首款利用45納米處理技術(shù)的芯片已完成設(shè)計。45納米技術(shù)代表了CMOS半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的下一個里程碑，該技術(shù)能夠使芯片實現(xiàn)更快的速度、更低的功耗以及更高的集成度，同時還能夠在每個晶片上提供更多管芯，從而降低管芯成本。
    “高通公司實現(xiàn)了這一前沿處理技術(shù)發(fā)展的里程碑，而我們與戰(zhàn)略性代工合作伙伴的協(xié)作關(guān)系也將繼續(xù)支持公司的長期技術(shù)創(chuàng)新�！备咄–DMA技術(shù)集團(tuán)高級副總裁兼總經(jīng)理伯魯茲•阿布迪（Behrooz Abdi）表示，“我們期待著能夠支持45納米及更先進(jìn)處理技術(shù)的新型產(chǎn)品，無線技術(shù)在世界各地人們的日常生活中所發(fā)揮的作用將因而提升到一個嶄新的水平�！�
    新款芯片在臺灣積體電路制造股份有限公司（臺積電，TSMC）完成設(shè)計并投入制造。與戰(zhàn)略性技術(shù)和代工合作伙伴的緊密合作，是高通公司所倡導(dǎo)的“集成的無生產(chǎn)線模式”（IFM）的關(guān)鍵所在。該模式能夠為行業(yè)帶來更高的效率和更快的技術(shù)進(jìn)步。
    該款高通公司芯片使用了一種為低功耗而優(yōu)化的45納米處理技術(shù)，利用了先進(jìn)的浸入式光蝕刻法(immersion lithography)和超低 k介電層特性(very low k inter-metal dielectrics features)。這種技術(shù)具有的競爭優(yōu)勢包括性價比的顯著提高，以及更好的防漏電性和更高的集成度。公司已著手開發(fā)40納米處理技術(shù)，將為半導(dǎo)體性能、成本和效率創(chuàng)造更大的益處。
    高通公司（www.qualcomm.com）以其CDMA及其它先進(jìn)數(shù)字技術(shù)為基礎(chǔ)，開發(fā)并提供全球領(lǐng)先的富于創(chuàng)意的數(shù)字無線通信產(chǎn)品和服務(wù)。高通公司總部設(shè)在美國加利福尼亞州圣迭戈市，公司股票是標(biāo)準(zhǔn)普爾500指數(shù)的成分股，是2007年財富雜志評選的“財富500強(qiáng)”（FORTUNE 500® ）之一，在納斯達(dá)克股票市場（Nasdaq Stock Market®）上以QCOM的股票代碼進(jìn)行交易。
    除了包含歷史信息外，本新聞稿也包括前瞻性敘述內(nèi)容，這些敘述具有一定的風(fēng)險和不確定性，包括公司在適時及盈利的基礎(chǔ)上成功地設(shè)計和大量生產(chǎn)CDMA組件的能力、客戶對CDMA的接受程度、CDMA部署的范圍和速度、公司服務(wù)的各個市場經(jīng)濟(jì)狀況的變化以及公司向美國證券交易委員會定期提交的報告中詳列的其他風(fēng)險，這些報告包括截止到2006年9月24日的10-K年度報和最近的10-Q季報。