--新型場效應(yīng)管實(shí)現(xiàn)了更高的信道容量，保證了更高的可靠性，其微型LPCC封裝形式則節(jié)約了寶貴的電路板空間
    8/11/2003，北京-安捷倫科技（Agilent Technologies, 紐約證券交易所上市代號：A）日前宣布，推出最高線性度的E-pHEMT (增強(qiáng)模式偽形態(tài)高電子遷移率晶體管) 場效應(yīng)管 (FET)。這款產(chǎn)品采用了新型低熱電阻的微型2 mm x 2 mm 的8針LPCC（無引線塑料芯片載體）封裝形式。
    安捷倫的 ATF-501P8單電壓E-pHEMT是為應(yīng)用于發(fā)射功放器和接收低噪聲放大器等產(chǎn)品中而優(yōu)化開發(fā)的。這些器件被廣泛應(yīng)用于蜂窩/PCS/WCDMA基站、近地軌道衛(wèi)星系統(tǒng)、陸地多信道多端口分布系統(tǒng)(MMDS)、無線局域網(wǎng)(WLAN)、無線本地環(huán)路(WLL)、固定無線接入及工作頻率在50 MHz - 6 GHz之間的其它服務(wù)中。
    在2 GHz的單電壓操作時(shí)，安捷倫的ATF-501P8提供了 +45.5 dBm三階輸出攔截點(diǎn)(OIP3)，從而實(shí)現(xiàn)了更高效的多信道放大器，可以處理更多的語音和數(shù)據(jù)信道。其23 ºC/W 的低熱電阻（傳統(tǒng)的LPCC封裝的同類產(chǎn)品為33 ºC/W），使得安捷倫的ATF-501P8能夠在周圍溫度達(dá)到 +85° C時(shí)散發(fā)出不到2 W的熱量，從而使芯片可以保持正常的溫度，進(jìn)而保證芯片的工作具有更高的可靠性。ATF-501P8在2 GHz時(shí)提供了+29 dBm的線性輸出功率(P1dB)、15 dB的增益和65% 的功率加效率(PAE)，同時(shí)實(shí)現(xiàn)了1.0 dB的低噪聲系數(shù)。其體積小巧，尺寸僅為2 mm x 2 mm，節(jié)約了寶貴的印刷電路板空間。
    安捷倫一直是業(yè)內(nèi)唯一提供具有單電壓操作能力的E-pHEMT器件的廠商。由于具有低單電壓操作、高功率效率和卓越的RF性能，安捷倫的E-pHEMT器件是替代噪聲系數(shù)較高的單電壓HBT及傳統(tǒng)的雙電壓PHEMT和GaAs HFET (同構(gòu)FET)器件的理想選擇。