12/23/2024，光纖在線訊，美光（Micron）公布了下一代 HBM4 和 HBM4E 工藝的最新進(jìn)展，該公司預(yù)計(jì)將于 2026 年開始量產(chǎn)。HBM4 有望帶來最先進(jìn)的性能和效率數(shù)據(jù)，而這正是提升人工智能計(jì)算能力的途徑。 美光與SK海力士和三星等公司一樣，也在爭奪 HBM4 的主導(dǎo)地位，在最新的投資者會(huì)議上，該公司透露，他們的 HBM4 開發(fā)已步入正軌，HBM4E 的"工作也已開始"。

       美光表示：憑借在成熟的 1 β 工藝技術(shù)方面的堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)和持續(xù)投資，我們預(yù)計(jì)美光的 HBM4 將在上市時(shí)間和能效方面保持領(lǐng)先地位，同時(shí)性能比 HBM3E 提升 50%以上。 我們預(yù)計(jì) HBM4 將于 2026 年大批量上市。

       HBM4E 將緊隨 HBM4 之后推出。 HBM4E 將通過采用臺(tái)積電先進(jìn)的邏輯代工制造工藝，為某些客戶提供定制邏輯基礎(chǔ)芯片的選擇，從而為存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)帶來模式轉(zhuǎn)變。 我們預(yù)計(jì)這種定制能力將提高美光的財(cái)務(wù)業(yè)績。

       HBM4在許多方面都具有革命性意義，但值得注意的一點(diǎn)是，業(yè)界計(jì)劃將內(nèi)存和邏輯半導(dǎo)體集成到一個(gè)封裝中。 這意味著不再需要封裝技術(shù)，而且鑒于單個(gè)芯片將更接近于這種實(shí)現(xiàn)方式，它將被證明具有更高的性能效率。 這就是美光提到他們將使用臺(tái)積電作為"邏輯半導(dǎo)體"供應(yīng)商的原因，與 SK Hynix 采用的供應(yīng)商類似。

      
       美光還提到了 HBM4E 工藝的存在，成為唯一一家與 SK Hynix 一起率先披露該技術(shù)發(fā)展情況的公司。 雖然我們目前還不清楚美光的 HBM4 產(chǎn)品線規(guī)格，但該公司透露，HBM4 預(yù)計(jì)將堆疊多達(dá) 16 個(gè) DRAM 芯片，每個(gè)芯片的容量為 32 GB，并采用 2048 位寬接口，這使得該技術(shù)比上一代產(chǎn)品更加優(yōu)越。

       在 應(yīng)用方面，HBM4 預(yù)計(jì)將與 AMD 的 Instinct MI400 Instinct 系列一起出現(xiàn)在英偉達(dá)的 Rubin  AI 架構(gòu)中， 目前，HBM 的需求正處于高峰期，美光公司自己也透露了到 2025 年的生產(chǎn)線預(yù)訂情況，因此，未來甚至?xí)庸饷鳌?

來源：cnBeta