4/24/2024,光纖在線訊,SK 海力士宣布,為應(yīng)對用于 AI 的半導(dǎo)體需求劇增,決定擴(kuò)充 AI 基礎(chǔ)設(shè)施(Infra)的核心產(chǎn)品即 HBM 等新一代 DRAM 的生產(chǎn)能力(Capacity) 。
當(dāng)天,公司通過董事會決議,將建設(shè)在韓國忠清北道清州市的 M15X 定為新的 DRAM 生產(chǎn)基地,并決定向廠房(Fab)建設(shè)投資約 5.3 萬億韓元(當(dāng)前約 279.31 億元人民幣)。
SK 海力士將于本月末開始進(jìn)行建設(shè)工程,計(jì)劃在 2025 年 11 月竣工并開始量產(chǎn)。公司也將依次進(jìn)行設(shè)備投資,從長遠(yuǎn)來看,計(jì)劃向 M15X 投資逾 20 萬億韓元,由此進(jìn)一步擴(kuò)充產(chǎn)能。
SK 海力士強(qiáng)調(diào):“作為 AI 應(yīng)用的存儲器領(lǐng)域全球領(lǐng)先者,公司希望通過向韓國生產(chǎn)基地加大投資,為激活韓國經(jīng)濟(jì)動能做出貢獻(xiàn),同時(shí)鞏固提升‘半導(dǎo)體強(qiáng)國’的地位!
隨著 AI 時(shí)代的來臨,半導(dǎo)體業(yè)界認(rèn)為 DRAM 市場進(jìn)入了中長期增長時(shí)代。公司認(rèn)為,預(yù)計(jì)年均增長率高達(dá) 60% 以上的 HBM、以面向服務(wù)器的高容量 DDR5 模塊為主的普通 DRAM 產(chǎn)品需求也將持續(xù)增加。
在此趨勢下,要想確保 HBM 產(chǎn)品的產(chǎn)量達(dá)到與普通 DRAM 相同的水平,則至少需要相對于普通 DRAM 至少兩倍以上的生產(chǎn)能力。公司認(rèn)為,提高以 HBM 為主的 DRAM 產(chǎn)能是首要課題。
因此,SK 海力士決定在龍仁半導(dǎo)體集群的第一座工廠竣工(2027 年上半年)之前,在清州 M15X 廠生產(chǎn)新一代 DRAM 產(chǎn)品。公司也考慮了 M15X 廠的地理位置優(yōu)勢,其與正在擴(kuò)充 TSV * 生產(chǎn)能力的 M15 廠相鄰,可以進(jìn)一步優(yōu)化 HBM 生產(chǎn)。
SK 海力士推進(jìn) M15X 項(xiàng)目的同時(shí),也將如期進(jìn)行投入約 120 萬億韓元的龍仁半導(dǎo)體集群等韓國國內(nèi)的投資計(jì)劃。
目前,龍仁半導(dǎo)體集群的用地在建工程進(jìn)度約為 26%,相較于工程目標(biāo)快 3 個百分點(diǎn)。公司已完成布局生產(chǎn)設(shè)施的用地相關(guān)補(bǔ)償和文化遺產(chǎn)調(diào)查工作,電力、用水、道路等基礎(chǔ)設(shè)施的建設(shè)工程也比原計(jì)劃進(jìn)行得更快。公司計(jì)劃在明年 3 月開工建造龍仁半導(dǎo)體集群第一座工廠,并于 2027 年 5 月竣工。
另外,SK 海力士的韓國國內(nèi)投資,在 SK 集團(tuán)展開的整個韓國國內(nèi)投資當(dāng)中也起到了重要作用。公司在 2012 年并入 SK 集團(tuán)后從 2014 年開始總投資 46 萬億韓元(當(dāng)前約 2424.2 億元人民幣),以利川 M14 廠為開端,以增建三座工廠的“未來展望”為中心,在韓國持續(xù)加碼投資。最終,公司在 2018 年和 2021 年依次竣工了清州 M15 廠和利川 M16 廠,超前實(shí)現(xiàn)了未來展望。
公司期待,隨之推進(jìn)的 M15X 和龍仁集群投資,能夠促使韓國成為 AI 半導(dǎo)體強(qiáng)國,也將成為激發(fā)國家經(jīng)濟(jì)的牽引力。
SK 海力士 CEO 郭魯正表示:“M15X 將成為向全世界提供 AI 應(yīng)用存儲器的核心設(shè)施,也是公司邁向未來的墊腳石,我確信此次投資不僅有助于公司,還會對國家經(jīng)濟(jì)的未來發(fā)展做出貢獻(xiàn)!
來源:IT之家