導(dǎo)讀:美國(guó)與日本官方正攜手合作,研發(fā)2nm及以下的高端制造工藝,以降低對(duì)中國(guó)臺(tái)灣晶圓大廠臺(tái)積電依賴(lài)癥。當(dāng)前在晶圓代工晶圓,臺(tái)積電占據(jù)高端市場(chǎng)近乎壟斷性份額。
5/05/2022,光纖在線訊,據(jù)日經(jīng)新聞報(bào)道,美國(guó)與日本官方正攜手合作,研發(fā)2nm及以下的高端制造工藝,以降低對(duì)中國(guó)臺(tái)灣晶圓大廠臺(tái)積電依賴(lài)癥。當(dāng)前在晶圓代工晶圓,臺(tái)積電占據(jù)高端市場(chǎng)近乎壟斷性份額。
據(jù)悉,這項(xiàng)合作已經(jīng)接近達(dá)成協(xié)議。合作參與的機(jī)構(gòu)包括日本的東京電子、佳能,在日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)總合研究所研發(fā),美國(guó)IBM公司參與。
從進(jìn)展來(lái)看,臺(tái)積電3nm工藝在今年量產(chǎn),預(yù)計(jì)2024年投產(chǎn)2nm工藝。韓國(guó)三星緊隨其后。英特爾的高端制造工藝“18A”,據(jù)悉相當(dāng)于1.8nm,預(yù)計(jì)在2024年下半年投產(chǎn)。
臺(tái)灣業(yè)界對(duì)此感到憂(yōu)心,甚至有臺(tái)灣媒體報(bào)道稱(chēng),如果美日聯(lián)手研發(fā)2nm工藝,最后必然會(huì)引發(fā)價(jià)格上的爭(zhēng)議,最遭的情況下是“強(qiáng)迫同業(yè)漲價(jià)”,以齊頭式平等的方式面對(duì)市場(chǎng),最終受傷的是廣大終端消費(fèi)者。
去年以來(lái),臺(tái)積電一直消極抵抗美國(guó)的產(chǎn)業(yè)掌控。一方面,臺(tái)積電不得不前往美國(guó)建設(shè)晶圓廠,另一方面,又通過(guò)各種渠道,反復(fù)宣稱(chēng)在美國(guó)建廠的高額成本和競(jìng)爭(zhēng)力低下。同時(shí),臺(tái)積電最大的客戶(hù)是美國(guó)企業(yè)群體
來(lái)源:C114
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