9/09/2021，2021年9月16日-18日，第23屆中國國際光電博覽會將在深圳國際會展中心（寶安新館）舉辦。屆時武漢敏芯半導(dǎo)體將展出1310nm高功率低偏振消光比超輻射發(fā)光二極管、1310nm半導(dǎo)體光放大器、1310nm大功率DFB激光器、10G 1550/1577nm EML、25G LWDM4/CWDM4 DFB等光通信芯片產(chǎn)品。誠摯邀請您蒞臨6號館6C33展位參觀、交流及業(yè)務(wù)洽談。


1310nm高功率低偏振消光比超輻射發(fā)光二極管

S0031-L3-C02是一款中心波長1310nm，BH掩埋，InGaAsP多量子阱的半導(dǎo)體超輻射發(fā)光二極管芯片，具有高功率、低偏振消光比、低ripple、高可靠性等特點。關(guān)鍵特性：
1、高芯片功率；
2、譜寬：≥40nm；
3、偏振消光比：<1dB；
4、Ripple：<0.2dB。



1310nm半導(dǎo)體光放大器

   1310nm SOA芯片采用InGaAsP/InP多量子阱結(jié)構(gòu)設(shè)計和BH工藝方案，是一款高增益、高飽和輸出功率、低NF和低偏振相關(guān)特性的半導(dǎo)體光放大器芯片，可作為前置放大應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心與WDM網(wǎng)絡(luò)中。關(guān)鍵特性：
1、增益（Gain）：≥16dB；
2、偏振相關(guān)增益（PDG）：≤1.5dB；
3、飽和輸出光功率（Saturation Power）~7dBm；
4、噪聲指數(shù)（Noise Figure）：~7dB；
5、增益紋波（Gain Ripple）：≤0.2dB。


1310nm大功率DFB激光器

D0031-C0-0A0-07是基于InGaAsP/InP材料體系設(shè)計的1310nm高功率半導(dǎo)體激光器芯片，可用于目前的100G至400G硅光子集成芯片中。芯片可以在非制冷和非氣密環(huán)境下工作，具有高功率，高邊模抑制比和高可靠性等特點。關(guān)鍵特性：
1、低閾值電流；
2、高輸出功率；
3、可靠性符合Telcordia GR-468；
4、RoHS Compliant。


10G 1550/1577nm EML

10G 1550/1577nm EML系列為單模邊發(fā)射EML激光器，采用InGaAsP/InP多量子阱結(jié)構(gòu)設(shè)計和BH工藝，芯片正表面提供9位編碼用于追溯，且所有出貨芯片均經(jīng)過100%常溫及高溫測試。其中，10G 1550 EML主要應(yīng)用于10G 40km/80km TDM傳輸，10G 1577 EML主要應(yīng)用于對稱10G PON。關(guān)鍵特性：
1、低閾值、高帶寬；
2、BH多量子阱結(jié)構(gòu)；
3、高消光比；
4、低偏壓工作；
5、可靠性符合Telcordia GR-468；
6、RoHS Compliant。


25G LWDM4/CWDM4 DFB

   25G LWDM/CWDM4 系列為25Gbps單模邊發(fā)射DFB激光器，分別應(yīng)用于100Gbps LR4/CWDM4傳輸系統(tǒng)。該系列采用AlGaInAs多量子阱結(jié)構(gòu)設(shè)計，脊波導(dǎo)工藝，芯片正表面提供9位編碼用于追溯，且所有出貨芯片均經(jīng)過100%常溫及高溫測試。

25G LWDM4支持波長1295.56nm、1300.05nm、1304.58nm、309.14nm共4個波長通道。

25G CWDM4支持波長1271nm、1291nm、1311nm、1331nm共4個波長通道。

關(guān)鍵特性：
1、低閾值、高帶寬；
2、高輸出光功率；
3、工作溫度支持50°C～60°C；
4、可靠性符合Telcordia GR-468；
5、RoHS Compliant。



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