12/14/2020，光纖在線訊，日前，國(guó)家信息光電子創(chuàng)新中心和中信科集團(tuán)光纖通信技術(shù)與網(wǎng)絡(luò)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室在超高速硅光芯片技術(shù)方向取得重要進(jìn)展，首次利用硅光微環(huán)調(diào)制器產(chǎn)生了200 Gb/s PAM4光信號(hào)（此前最高水平為Intel的128Gb/s），并成功實(shí)現(xiàn)2km單模光纖傳輸。該成果為下一代800G光模塊和共封裝（co-packaged）光子引擎提供了超低功耗超高集成度的芯片技術(shù)方案。

國(guó)家信息光電子創(chuàng)新中心（NOEIC）的這項(xiàng)成果在ECOC 2020會(huì)議上作為PDP（post-deadline paper，在截稿日期之后被接收的論文）論文發(fā)表，這也是繼去年之后，NOEIC連續(xù)第二年發(fā)表ECOC PDP報(bào)告。ECOC大會(huì)PDP論文旨在發(fā)布光通信領(lǐng)域的最新技術(shù)進(jìn)展和紀(jì)錄性成果，代表著業(yè)內(nèi)當(dāng)前最高技術(shù)水平。本屆ECOC會(huì)議的PDP文章僅有7篇，而NOEIC的論文是本屆會(huì)議上唯一1篇光芯片類的PDP文章，也是唯一一個(gè)完全依托中國(guó)單位和研究人員完成的工作。

隨著5G、物聯(lián)網(wǎng)和人工智能等的快速發(fā)展，下一代數(shù)據(jù)中心光互連亟需將單通道速率從當(dāng)前的100Gb/s升級(jí)到200Gb/s。而本工作中的超高速硅基微環(huán)調(diào)制器由于具有高帶寬、小尺寸、低驅(qū)動(dòng)電壓和低功耗等眾多優(yōu)點(diǎn)，為下一代低成本、低功耗的高速光互連提供了非常有競(jìng)爭(zhēng)力的解決方案。

此次NOEIC和中國(guó)信科的研發(fā)人員基于帶寬大于67GHz（受限于測(cè)試設(shè)備，外推帶寬為79GHz）的硅基微環(huán)調(diào)制器，結(jié)合自主開(kāi)發(fā)的奈奎斯特整形和自適應(yīng)均衡算法，成功演示了單通道120Gb/s OOK和200Gb/s PAM4高速光信號(hào)的產(chǎn)生，實(shí)現(xiàn)了目前國(guó)際上速率最高的硅光調(diào)制器。


▲NOEIC和中信科在ECOC2020(歐洲光纖通訊展覽會(huì))發(fā)表的PDP論文

作為工信部批復(fù)的國(guó)家級(jí)創(chuàng)新研發(fā)機(jī)構(gòu)，國(guó)家信息光電子創(chuàng)新中心一直以來(lái)十分重視硅光技術(shù)的研發(fā)和標(biāo)準(zhǔn)化工作。先后取得國(guó)內(nèi)首款100G硅基相干光收發(fā)芯片等突破性成果，多款光芯片產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了國(guó)產(chǎn)化替代。近日，創(chuàng)新中心聯(lián)合中信科集團(tuán)、中國(guó)信息通信研究院、中興通訊等國(guó)內(nèi)優(yōu)勢(shì)單位，圍繞800Gb/s光器件及硅光技術(shù)共提交多項(xiàng)光器件行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和研究課題，均獲得立項(xiàng)。面向硅光技術(shù)帶來(lái)的重大產(chǎn)業(yè)變革，國(guó)家信息光電子創(chuàng)新中心將充分發(fā)揮行業(yè)引領(lǐng)示范作用，聯(lián)合國(guó)內(nèi)科研和產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)單位，全力推動(dòng)高端光電子芯片的技術(shù)攻關(guān)、產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)化和標(biāo)準(zhǔn)化工作。