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臺積電2nm進度曝光:2023年底良率可達90%,2024年量產(chǎn)

光纖在線編輯部  2020-09-27 15:54:17  文章來源:綜合整理  版權(quán)所有,未經(jīng)許可嚴禁轉(zhuǎn)載.

導讀:臺積電2nm工藝的研發(fā)已取得重大進展,將會采用環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)(GAA),目前研發(fā)進入了高級階段,先于他們的計劃。

9/27/2020,光纖在線訊,據(jù)最新消息,臺積電2nm工藝的研發(fā)已取得重大進展,將會采用環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)(GAA),目前研發(fā)進入了高級階段,先于他們的計劃。在量產(chǎn)時間方面,有外媒在報道中指出,臺積電對2nm工藝在2023年年底的風險試產(chǎn)良品率達到90%非常樂觀。根據(jù)目前的研發(fā)進展推測,臺積電的2nm工藝將在2023年風險試產(chǎn),2024年大規(guī)模投產(chǎn)。



近日,臺積電對外公布了其3nm工藝的量產(chǎn)目標,即到2022年下半年單月產(chǎn)能提升至5.5萬片,2023年單月再達到10萬片。除蘋果包下首波產(chǎn)能外,第二、三波客戶也已入列,若無重大危機干擾,臺積電業(yè)績將如預期保持逐年增長。

臺積電總裁魏哲家在臺積電技術(shù)論壇上表示,5nm正加速量產(chǎn),加強版5nm預計2021年量產(chǎn)。3nm預計2022年下半年量產(chǎn),相較5nm,3nm速度提升15%,功耗降低30%,電晶體密度提升70%。至于更先進的2nm工藝,最新的消息顯示,臺積電2nm工藝的研發(fā)已取得重大進展,將會采用環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)(GAA),目前研發(fā)進入了高級階段,先于他們的計劃。

在量產(chǎn)時間方面,有外媒在報道中指出,臺積電對2nm工藝在2023年年底的風險試產(chǎn)良品率達到90%非常樂觀。根據(jù)目前的研發(fā)進展推測,臺積電的2nm工藝將在2023年風險試產(chǎn),2024年大規(guī)模投產(chǎn)。

并且,臺積電負責營運組織的資深副總經(jīng)理秦永沛透露,他們計劃在新竹建設(shè)2nm工藝的芯片生產(chǎn)工廠,建設(shè)工廠所需的土地已經(jīng)獲得。臺積電董事長劉德音目前也透露,他們可能會擴展位于臺中的晶圓十五廠,以增加2nm工藝的產(chǎn)能。
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