7/08/2020，光纖在線訊    為滿足SiN波導(dǎo)開發(fā)需求，今年5月開始CUMEC公司組織開展了“微米級超厚高質(zhì)量氧化膜生長工藝”核心技術(shù)的自主研發(fā)攻關(guān)，并于近日取得重大突破。



在半導(dǎo)體制造業(yè)，微米級超厚高質(zhì)量氧化膜生長工藝是一個高難度的非常規(guī)工藝。對于CUMEC公司新建的8吋工藝平臺來說，國內(nèi)沒有類似的工藝可供參考，更得不到外界的技術(shù)支持，一切都需要從零開始。新工藝的研發(fā)是艱難的，需要進行大量的單項工藝試驗，工藝開發(fā)從來都不是一帆風(fēng)順的，CUMEC工程師們廢寢忘食，或查詢文獻資料，或向資深工程師請教，或多模組配合開展頭腦風(fēng)暴，大家心往一處想、智往一處謀、勁往一處使，經(jīng)過近60個日夜的奮戰(zhàn)，微米級的高質(zhì)量氧化膜的首批樣片終于制備完成，標志著CUMEC公司在特殊原料替代進口、降低成本的道路上邁出了關(guān)鍵的一步。

在公司發(fā)展的道路上，不會一帆風(fēng)順，還會遇到很多的新問題、新挑戰(zhàn)，但CUMEC人相信機遇與挑戰(zhàn)并存，抓住機遇，克服困難、迎接挑戰(zhàn)，CUMEC的發(fā)展道路定會越走越寬。