11/20/2024,光纖在線訊,上海工研院(SITRI) 聯(lián)合中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)所、中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、上海交通大學(xué)等國(guó)內(nèi)硅基光電子領(lǐng)域知名研究機(jī)構(gòu),建立硅基光電子器件工藝平臺(tái),擁有近5000平米潔凈室,具備90nm高精度光刻、晶體外延、介質(zhì)薄膜生長(zhǎng)、干法及濕法刻蝕、摻雜、金屬互連和在線工藝檢測(cè)等成套關(guān)鍵工藝能力,可以通過MPW、定制化流片、聯(lián)合研發(fā)等多種方式為各類高校、科研院所和企業(yè)提供服務(wù),滿足客戶研發(fā)、中試、封裝等多樣化需求。
經(jīng)過多年沉淀積累,上海工研院硅光平臺(tái)的服務(wù)能力持續(xù)穩(wěn)定提升,日趨成熟,獲得了行業(yè)的高度認(rèn)可。2023年,90納米硅基光電子技術(shù)入選《2023年上海市科技進(jìn)步報(bào)告》,并在2024年入選中國(guó)光學(xué)工程學(xué)會(huì)“硅基光電子三年優(yōu)秀成果展”。隨著強(qiáng)烈的市場(chǎng)需求,為確保每一位合作伙伴都能及時(shí)把握住研發(fā)創(chuàng)新的先機(jī),我們正積極調(diào)配資源,優(yōu)化流程,確保在2025年為客戶提供更加緊湊、高效的流片周期。
在此,我們誠(chéng)摯邀請(qǐng)各界同仁,無(wú)論是致力于前沿探索的學(xué)術(shù)團(tuán)隊(duì),還是追求技術(shù)創(chuàng)新的企業(yè)伙伴,盡早規(guī)劃,把握時(shí)機(jī),加入我們的流片計(jì)劃。2025年,讓我們攜手并進(jìn),在硅基光電子的廣闊天地中,共同書寫屬于未來(lái)的輝煌篇章!
硅光MPW流片安排
硅光MPW流片工藝
上海工研院共提供5套硅光工藝,包括90nm SOI無(wú)源工藝、180nm SiN無(wú)源工藝、SiN on SOI無(wú)源工藝、90nm SOI有源工藝和SiN on SOI有源工藝。具體工藝能力如下:
01.90nm SOI無(wú)源工藝
目前,SOI無(wú)源集成工藝流片的最小工藝節(jié)點(diǎn)為90nm,具備三步硅刻蝕、TiN金屬加熱電極、單層鋁互連和深硅刻蝕等關(guān)鍵工藝能力,可實(shí)現(xiàn)各種高性能的硅光無(wú)源器件。
基本工藝能力如下表所示:
02. 180nm SiN無(wú)源工藝
SiN集成工藝流片具備LPCVD氮化硅、TiN金屬加熱電極、單層鋁互連和深硅刻蝕等關(guān)鍵工藝能力,可實(shí)現(xiàn)各種高性能氮化硅無(wú)源器件。
基本工藝能力如下表所示:
03. SiN on SOI無(wú)源工藝
SiN on SOI無(wú)源集成工藝流片,Si的最小工藝節(jié)點(diǎn)為90nm,SiN的最小工藝節(jié)點(diǎn)為200nm,具備了三步硅刻蝕、LPCVD氮化硅、TiN金屬加熱電極、單層鋁互連以及深硅刻蝕等關(guān)鍵工藝能力。該工藝結(jié)合了氮化硅和SOI平臺(tái)的優(yōu)點(diǎn),能夠?qū)崿F(xiàn)高性能的硅光子和氮化硅無(wú)源器件。
基本工藝能力如下表所示:
04. 90nm SOI有源工藝
目前,90nm SOI有源工藝流片的最小工藝節(jié)點(diǎn)為90nm,具備三步硅刻蝕、多步有源器件摻雜、鍺外延與TiN金屬加熱電極、雙層鋁互連和深硅刻蝕等關(guān)鍵工藝能力,可實(shí)現(xiàn)各種高性能的硅光無(wú)源、有源器件。
基本工藝能力如下表所示:
05. SiN on SOI有源工藝
SiN on SOI有源工藝流片,Si的最小工藝節(jié)點(diǎn)為90nm,SiN的最小工藝節(jié)點(diǎn)為200nm,具備三步硅刻蝕、多步有源器件摻雜、LPCVD氮化硅、鍺外延與TiN金屬加熱電極、雙層鋁互連和深硅刻蝕等關(guān)鍵工藝能力。該工藝結(jié)合了氮化硅和SOI平臺(tái)的優(yōu)點(diǎn),可實(shí)現(xiàn)各種高性能的硅光無(wú)源、有源器件和氮化硅無(wú)源器件。
基本工藝能力如下表所示:
服務(wù)流程
如有流片需求,請(qǐng)郵件聯(lián)系商務(wù)潘經(jīng)理獲取PDK,歡迎垂詢!
郵箱:Hongming.Pan@sitri.com
電話:13916643350