導(dǎo)讀:美國存儲芯片大廠美光在古吉拉特邦設(shè)立的存儲芯片組裝測試廠預(yù)定于8月破土動工,總體的項目投資額為27.5億美元(包括政府補貼)。
7/06/2023,光纖在線訊,據(jù)英國金融時報4日報道,印度電子信息科技部部長Ashwini Vaishnaw表示,美國存儲芯片大廠美光(Micron Technology)在古吉拉特邦(Gujarat)設(shè)立的存儲芯片組裝測試廠預(yù)定于8月破土動工,總體的項目投資額為27.5億美元(包括政府補貼)。
除了美光之外,不久前美國半導(dǎo)體設(shè)備大廠應(yīng)用材料(Applied Materials)也宣布投資4億美元,在印度班加羅爾邦(Bengaluru)成立工程中心,預(yù)計也將獲得印度政府的補貼。
Vaishnaw在接受采訪時表示,美光廠房將在18個月后首度投產(chǎn),時間點落在2024年12月份。另外,印度政府正在跟14家左右的企業(yè)洽談,其中有2家表現(xiàn)非常好,有機會成功申請到芯片補助。他透露,鴻海也在配合滿足印度新修改的規(guī)定。
為吸引顯示器和半導(dǎo)體制造商赴印度投資設(shè)廠,在2021年底,印度就公布了一項約100億美元的激勵計劃,其最高可提供項目成本50%的獎勵。但時至今日,這個補貼一分錢都沒真正花出去。
在此之前,高塔半導(dǎo)體主導(dǎo)的ISMC、鴻海和Vedanta合資企業(yè)、新加坡科技公司IGSS等已經(jīng)宣布的在印度投資的半導(dǎo)體項目均未真正啟動或未達到補貼要求,他們申請的補貼也未獲得通過。
近期,印度政府已重啟芯片補貼申請程序,但將要求的制程規(guī)格改為40nm或以上,而非此前要求較高的28nm。這也意味著相關(guān)半導(dǎo)體制造更容易滿足補貼的申請條件。
(來源:芯智訊)
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