導(dǎo)讀:近期DRAM及NAND Flash市況回溫,部分存儲(chǔ)芯片廠重啟產(chǎn)能擴(kuò)充計(jì)劃,預(yù)計(jì)2020年及2021年全球新增晶圓產(chǎn)能將大幅增加,進(jìn)入高速擴(kuò)張期。
12/25/2019, 近日,IC Insights發(fā)布了2020-2024年全球晶圓產(chǎn)能報(bào)告。
報(bào)告指出,通常IC行業(yè)通過增加晶圓產(chǎn)能來滿足其大部分需求,而不是通過增加每個(gè)晶圓上切分的數(shù)量。
數(shù)據(jù)顯示,從2000年到2019年,每片晶圓的優(yōu)質(zhì)IC出貨量平均每年僅增長(zhǎng)0.9%。因此,在2000-2019年期間,IC的年平均增長(zhǎng)量的約86%是通過增加晶圓產(chǎn)能來滿足,只有14%才歸因于每個(gè)晶圓上合格芯片數(shù)量的增加。
據(jù)悉,半導(dǎo)體市場(chǎng)在2017~2018年間出現(xiàn)過存儲(chǔ)芯片及部份邏輯芯片缺貨的情況,DRAM及NAND Flash價(jià)格大漲,存儲(chǔ)芯片廠因此大舉擴(kuò)充產(chǎn)能以回應(yīng)市場(chǎng)的強(qiáng)勁需求。
不過,由于市場(chǎng)低迷以及產(chǎn)能的過剩,2019年全球晶圓廠平均產(chǎn)能利用率從2018年的94%下降至86%,2019年存儲(chǔ)芯片價(jià)格也一路走跌,因此,許多存儲(chǔ)芯片廠暫緩了產(chǎn)能擴(kuò)充計(jì)劃。
但由于計(jì)劃僅被推遲而未被取消,且近期DRAM及NAND Flash市況回溫,部分存儲(chǔ)芯片廠重啟產(chǎn)能擴(kuò)充計(jì)劃,預(yù)計(jì)2020年及2021年全球新增晶圓產(chǎn)能將大幅增加,進(jìn)入高速擴(kuò)張期。
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