7/08/2024，光纖在線訊，近日，銘普光磁在回答投資者提問(wèn)，針對(duì)銘普光磁800G光模塊何時(shí)能夠投入生產(chǎn)時(shí)，公司表示，銘普光磁硅光800G DR8光模塊已通過(guò)行業(yè)檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)，目前在PVT階段（Production/Process Verification Test），主要的工作事項(xiàng)是按照量產(chǎn)的工裝設(shè)備、生產(chǎn)流程、操作方法進(jìn)行小批量生產(chǎn)；驗(yàn)證生產(chǎn)工藝；驗(yàn)證產(chǎn)品的穩(wěn)定性及可靠性。

其實(shí)，早在今年5月，銘普光磁在接受17家機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí)就表示，公司硅光800GDR8光模塊通過(guò)行業(yè)檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)，該產(chǎn)品是在銘普光電研發(fā)中心錢(qián)銀博博士的帶領(lǐng)下研發(fā)成功。產(chǎn)品基于硅光技術(shù)，是一種高性能、可熱插拔的8通道全雙工收發(fā)一體模塊。適用于高速數(shù)據(jù)中心和云計(jì)算網(wǎng)絡(luò)。該模塊采用OSFP封裝，速率高達(dá)850Gbps，可以通過(guò)單模光纖傳輸大量數(shù)據(jù)，實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)距離、高帶寬和高穩(wěn)定性的數(shù)據(jù)傳輸。目前仍存在因批量化生產(chǎn)，造成產(chǎn)品良率不達(dá)標(biāo)等風(fēng)險(xiǎn)。



另外，隨著氮化鎵（GAN）技術(shù)在大功率電源領(lǐng)域的突破性進(jìn)展，其高效能、低損耗和耐高溫等特性為電源設(shè)計(jì)帶來(lái)了革命性的變革。在這一背景下，銘普近期成功研發(fā)出圖騰柱無(wú)橋電路PFC電感-4KW,并與半導(dǎo)體供應(yīng)商Innoscience（英諾賽科公司）芯片系列搭配使用開(kāi)發(fā)，Innoscience 芯片型號(hào)INN650TA030AH。