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新品 | 湘海電子-村田發(fā)布用于超寬帶傳輸光通信設備的硅電容器

光纖在線編輯部  2020-11-27 17:02:39  文章來源:本站消息  版權所有,未經(jīng)許可嚴禁轉載.

導讀:隨著移動基站繼續(xù)增加以及數(shù)據(jù)中心流量需求不斷增大,可以預測光通信市場也將會進一步擴大。目前,400Gbps的以太網(wǎng)(400GbE)正逐漸成為下一代數(shù)據(jù)中心的主流,而Beyond 400Gbps的研發(fā)也早已展開,高速化、小型化、高集成化的需求日益迫切。為了適應這一需求,村田近日發(fā)布的硅電容器,尤其適合于超寬帶傳輸?shù)墓馔ㄐ旁O備。

11/27/2020,光纖在線訊,隨著移動基站繼續(xù)增加以及數(shù)據(jù)中心流量需求不斷增大,可以預測光通信市場也將會進一步擴大。目前,400Gbps的以太網(wǎng)(400GbE)正逐漸成為下一代數(shù)據(jù)中心的主流,而Beyond 400Gbps的研發(fā)也早已展開,高速化、小型化、高集成化的需求日益迫切。為了適應這一需求,村田近日發(fā)布的硅電容器,尤其適合于超寬帶傳輸?shù)墓馔ㄐ旁O備。
 
    通過硅電容的獨特構造,能夠適應溫度及電壓變化的電容量穩(wěn)定性,高電容密度與高超的集成化技術。針對信號完整性的提高及小型化需求,村田能夠提供極佳的解決方案,包括以下三個方面的應用: 
 高頻信號線直器的耦合電容器
 解決偏置電路上去耦問題的去耦電容器
 TOSA硅中介層IPD(硅集成無源器件)
     


村田硅電容在超寬帶傳輸光通信設備中的應用

作為通信基建設施的光配線網(wǎng)絡,提高系統(tǒng)性能的同時需要保持出色的穩(wěn)定性可靠性以降低維護成本;另外,實現(xiàn)超高速通信傳輸,設備的小型化也至關重要,因為集成度更高且穩(wěn)定的元器件,能夠提高建網(wǎng)速度并節(jié)省配套硬件設施投資,從而降低光通信網(wǎng)絡建設綜合成本。 

在中國大陸市場,村田已經(jīng)與深圳市湘海電子有限公司建立密切合作,湘海電子專注于為光模塊客戶提供完整的光芯片解決方案。

1、耦合電容器 


村田硅電容器ULSC、BBSC、UBSC、XBSC系列,適用于高頻信號線上隔直耦合,能夠?qū)崿F(xiàn)低插入損耗、低反射、高相位穩(wěn)定性。 
支持的頻率范圍,最低為16kHz,XBSC最高為110GHz,UBSC最高為60+GHz,BBSC最高為40GHz,ULSC最高為26GHz。 
村田硅電容器基于深槽結構設計,是應用半導體的MOS工藝開發(fā)的。表現(xiàn)出極高的可靠性,及隨著電壓、溫度、老化的高靜電容量穩(wěn)定性(0.1%/V,60 ppm/K)。 
此外,硅電容器實現(xiàn)了-55℃至150℃的廣泛工作溫度范圍。生產(chǎn)線采用經(jīng)過超過900℃的高溫退火處理而獲得的高純度氧化膜,能夠完全控制,確保高度的可靠性和再現(xiàn)性。
 特點: 
 最大110GHz的超寬帶性能 
 沒有共振,低群延遲 
 出色的抗阻匹配,高頻下極低的插入損耗 
 底部電極結構,超低串擾,緊湊的走線與貼裝 
 對于溫度、電壓、老化,靜電容量值的穩(wěn)定性很高
 高可靠性 
2、去耦電容器: WLSC、WBSC、UWSC系列 


WLSC、WBSC、UWSC系列最適合用于作為TOSA、ROSA器件內(nèi)光芯片電源線上的去耦電容,有助于縮減空間受限的應用裝置的體積。例如在0101 (0.25mm×0.25mm)尺寸上實現(xiàn)高達1nF的電容密度——村田的硅電容技術可以成功做到這一點。 
WLSC系列,是可薄至100μm的引線鍵合用上下電極硅電容器。利用半導體工藝,開發(fā)極深溝槽結構的硅電容器,靜電容量密度高達6nF/mm2 to 250nF/mm2(支持的擊穿電壓為150V to 11V)。
WLSC系列的特點 
 100μm的極薄型 
 低漏電流 
 高穩(wěn)定性(溫度、電壓)
  老化后靜電容量也極少下降。 
 支持標準的引線鍵合封裝(球和楔)
    
WBSC系列是最高工作溫度150℃的引線鍵合用上下電極硅電容器。適用于DC去耦。厚度只有250μm。 
UWSC系列擁有超過26GHz的超寬帶性能,沒有共振,相位穩(wěn)定,外殼尺寸0101,靜電容量值1nF。對于溫度、電壓、老化,靜電容量值的穩(wěn)定性很高。具有超低的ESR和ESL以及高可靠性。
3、IPD (硅集成無源器件) 
利用村田的硅集成無源器件(Integrated Passive Device)技術,即可同時實現(xiàn)光通信設備的小型化及性能提升。
      

舉例而言,用于TOSA的硅中介層不但成功將以往需要分別裝置的電容和電阻等部件全部集成于一體,同時還能夠進一步提升適應溫度及電壓變化的穩(wěn)定性。由此可以削減裝配時間、實現(xiàn)小型化及性能的提升。 



主要特點 
 接近于激光器和電吸收調(diào)制器的熱膨脹系數(shù)(CTE)(4.2 ppm/K) 
 與氮化鋁(AIN)基板同等的導熱率(150W/m.K) 
 介電常數(shù)=11.7 
 損耗角正切(Loss Tangent)=0.005 @1GHz, 0.015 @10GHz 
優(yōu)點 
 提高可靠性 
 可應對寬帶 
 小型化 
 減少元件數(shù) 
 薄型化 
 削減總成本

以下二維碼為村田硅電容產(chǎn)品手冊下載


湘海電子 SZ000062

    深圳市湘海電子有限公司成立于1996年,一直致力于元器件方案服務提供商。隨著公司業(yè)務迅速發(fā)展,先后在香港、上海、廈門、青島、北京成立分公司,現(xiàn)有員工近200人,注冊資本7500萬元,2019年銷售額超過70億元。秉承“我誠故我在”的文化理念,致力于成為中國最好的電子元器件方案服務公司。在光通信領域,湘海電子瞄準高速光器件解決方案,先后代理了MuRata(村田制作所), Panasonic(松下), Foxconn(富士康), Teratech(創(chuàng)兆)Sitrus(橙科)等優(yōu)秀品牌,涉及的產(chǎn)品包括10G/25G DFB激光器、EML激光器芯片、DSP\CDR、單模、多模LENS、DC-DC轉換器以及IC等部件業(yè)務。 
湘海聯(lián)系人:
陳爍 181 2623 7995 / 朱俊 185 6571 0258 / 游浩杰 133 0295 5536
關鍵字: 湘海電子 村田 電容
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