2/18/2020,1xN Mems OSW被廣泛應用到光傳輸系統(tǒng)中，某些場景會要求Hitless，即Mems OSW在進行通道切換的過程中非目標通道不允許探測到信號光，即非目標通道不能受到信號光沖擊（一般沖擊都是瞬時的）。
實現(xiàn)Hitless需涉及到算法控制，因此只有帶電路板的模塊才能支持Hitless功能。武漢嘉迅光電對1xN Mems OSW的Hitless提出了幾種解決方案，從1x4到1x64全面支持Hitless 功能。

   在Mems OSW的同軸設計方案原理圖上模擬切換過程，從通道1切換到通道N，由于出射的信號光經(jīng)過了非目標通道的插針，從而從導致非目標通道會瞬時探測到信號光，即受到瞬態(tài)光沖擊。



   換個姿勢來看上述過程，從多芯插針的視角觀察，Mems芯片從起始通道電壓加到目標通道電壓，信號光會從起始通道插針直線移動到目標通道插針，這個直線路徑上會經(jīng)過2個非目標通道的插針，從而導致這2個非目標通道會受到信號光沖擊。



   光器件模塊有個解決問題的指導方針，軟件算法優(yōu)先級 > 硬件設計優(yōu)先級 > 光學設計優(yōu)先級，從優(yōu)先級最低的思路反過來依次討論。

【新光學設計方案】
思路1：設計一個新的光路，多芯插針不再成矩陣，而是一排，因Mems芯片有2個轉動軸向，一個軸向用于對應通道，另一個軸向用于切換時的路徑規(guī)避，即可實現(xiàn)Hitless功能。



優(yōu)點：完美解決切換沖擊問題。
缺點：光路全新設計，不兼容，改動巨大。

【硬件設計方案】
思路2：前置1個1x1 Mems OSW，切換過程按執(zhí)行以下步驟：
1、關閉前置1x1 Mems OSW，使光路完全阻斷
2、轉動1xN Mems OSW的Mems芯片，因光路阻斷，所有通道均無光
3、打開前置1x1 Mems OSW，使光路暢通



優(yōu)點：簡單易行。
缺點：增加器件和體積，增加控制復雜度，增加IL，權宜之計。

【軟件算法方案，以1x8 Mems OSW為例】
思路3-1：算法1，16芯插針，在多芯插針的間歇中找到一個公共路徑，需通過各通道的安全電壓驗證。通道切換時通過公共路徑行進。



優(yōu)點：有剩余15芯供挑選出8個通道。
缺點：多芯插針的均勻性問題，間隙的公共路徑不一定存在。

思路3-2：算法2，16芯插針，去掉COM，剩余15芯插針最多征用7芯，找到一個公共路徑，需通過各通道的安全電壓驗證。通道切換時通過公共路徑行進。



優(yōu)點：路徑間隙更大，找到公共路徑可能性高于算法1。
缺點：只剩8芯，可能不好挑選。

思路3-3：算法3，25芯插針，去掉COM，剩余24芯插針最多征用11芯，找到一個公共路徑，需通過各通道的安全電壓驗證。通道切換時通過公共路徑行進。



優(yōu)點：算法2的擴展，找到公共路徑可能性更高，同時剩余13芯供挑選，成品率很高。
缺點：需要采用更多芯數(shù)的多芯插針。