2/7/2020,1xN Mems OSW作為一款在市場上已推出多年的成熟產品，很長時間內N=16代表通道最高路數，更高路數需采取2級拼接方式實現。武漢嘉迅光電在2019年6月份開始陸續(xù)推出可量產的非拼接1x32/48/64 Mems OSW后，超高通道Mems OSW正式步入市場。

Mems芯片作為Mems OSW的核心，其最大轉動角度越大，光路的控制精細度越高，從而支持更高的通道數以及更低的IL。
如何獲得更大的最大轉動角度有2個思路：

1、不同型號的芯片擁有不同的最大轉動角度，采用擁有更大轉動角度的Mems芯片

2、對特定型號的Mems芯片，充分利用其轉動角度，并由此演進出多象限技術，成為超高通道Mems OSW的核心奧秘

Mems芯片擁有2個轉動軸向（x軸和y軸），其轉動控制方法如下：
1、將Mems芯片進行TO封裝
2、通過打線后的引腳對芯片加電壓來控制芯片的轉動方向和角度
3、不同的引腳對應特定軸向上特定方向
4、施加到引腳上的電壓大小對應Mems芯片的轉動角度
5、通常引腳最少3個，最多5個，其中1個接地



1、加電壓的引腳至多有4個，每2個對應一個軸向的2個方向，畫成象限圖。
2、所采用的引腳越多，則象限越多，可利用的轉動角度越大。
3、傳統的1x8/16 Mems OSW均采用1象限的設計方法，即只有2個加電引腳（+X，+Y）加上接地引腳共3個引腳。
4、而1x32/48/64則需要采用2或4象限的設計方法，至多4個加電引腳（+X，+Y，-X，-Y）加上接地引腳共5個引腳。



非拼接的1x64 Mems OSW器件+電路板實物圖如下，相對比傳統的1x16 Mems OSW，器件略微大一些，而電路板的大小保持一致。



Q：1x8/16 Mems OSW能不能采取多象限技術？
A：技術上可行，對IL會有細微改善，但加電引腳由3腳變?yōu)?腳，控制更復雜，同時每多一個象限，器件的調試及標定時間加倍。在現有IL等指標能滿足要求的情況下，1x8/16 Mems OSW一般不采用多象限技術。

Q：1x32 Mems OSW分別采取2象限和4象限有什么區(qū)別？
A：4象限的IL會更好。2象限實際加電引腳為3個腳，4象限實際加電引腳為4個腳，但為了使用的統一，TO封裝上都采用5個管腳方式。

Q：目前武漢嘉迅光電的非拼接1x64 Mems OSW是全球最高路數的Mems OSW，技術上是否還能做到更高路數，比如非拼接的1x96甚至1x128 Mems OSW？
A：對于如何實現超高路數的Mems OSW，武漢嘉迅光電還擁有開創(chuàng)性的黑科技，但何時推出依賴于市場真實需求。擁抱創(chuàng)新，非拼接1x64只是Mems OSW星辰大海征途的中繼點，武漢嘉迅光電將和您一起乘風破浪，迎接未來！