導讀:光互聯(lián)論壇OIF今天宣布將在今年美國加州Santa Clara DesignCon期間舉辦活動,介紹OIF新的CEI-112G 電接口發(fā)展狀況以及新的包括芯片組封裝,光電混合封裝和內部線纜連接方案等在內的新架構,具體時間為1月29日當地時間下午3點45分。
1/14/2020, 光互聯(lián)論壇OIF今天宣布將在今年美國加州Santa Clara DesignCon期間舉辦活動,介紹OIF新的CEI-112G 電接口發(fā)展狀況以及新的包括芯片組封裝,光電混合封裝和內部線纜連接方案等在內的新架構,具體時間為1月29日當地時間下午3點45分。
這次活動名為“促進新架構:OIF的CEI-112G電接口進展”,主要內容包括MCM, XSR, VSR,MR和LR五種接口。這些新接口預計將會改變從裸芯片到裸芯片連接到背板和電纜連接的下一代芯片設計的方案。
OIF參加討論的嘉賓包括:
OIF主席,TE Connectivity Nathan Tracy
OIF委員,博通公司Cathy Liu
OIF 物理層和鏈路層互聯(lián)工作組主席,是德公司Steve Sekel
OIF技術委員會主席,Semtech公司Ed Frlan
OIF委員,思科公司Gary Nicholl
OIF委員,英特爾公司Mike Li
OIF 主席Tracy指出,112Gbps電接口是更快,更高效和更經濟的數據中心的關鍵技術。這次在DesignCon上的討論將進一步促進行業(yè)對112Gbps電接口及帶來的設計架構變化的關注。
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