7/16/2024，光纖在線訊，據(jù)Businesskorea 7月15日報(bào)道，韓國材料科學(xué)研究院（KIMS）能源與環(huán)境材料部門的金永勛博士領(lǐng)導(dǎo)的研究團(tuán)隊(duì)與浦項(xiàng)工科大學(xué)黃賢相教授領(lǐng)導(dǎo)的研究團(tuán)隊(duì)通過聯(lián)合研究，成功實(shí)現(xiàn)了三維超集成神經(jīng)形態(tài)突觸器件，證明了它們在制造超高密度三維基突觸陣列方面的潛力。這一器件的開發(fā)有望加速人工智能（AI）半導(dǎo)體的發(fā)展。

    研究人員表示，他們通過將在200攝氏度以下溫度合成的范德瓦爾斯二維納米材料應(yīng)用于漏極電極和離子阻擋層，成功地實(shí)現(xiàn)了垂直反應(yīng)電化學(xué)隨機(jī)存取存儲器（ECRAM）器件的三維超高度集成。

    突觸器件的開發(fā)需要精確控制離子的移動。研究團(tuán)隊(duì)成功地通過在通道和離子電解質(zhì)層之間使用由二維納米材料制成的屏障層來控制離子移動。這使他們能夠?qū)崿F(xiàn)高性能的突觸特性，如線性、對稱性和耐久性，并達(dá)到95.22%的高手寫模式識別準(zhǔn)確率。

    此前，在ECRAM器件中，石墨烯等二維材料被用來制造屏障層以控制電解質(zhì)層中的離子遷移，但難以實(shí)現(xiàn)高密度、高產(chǎn)量的突觸半導(dǎo)體器件。

    三維超高密度類腦神經(jīng)突觸設(shè)備的開發(fā)技術(shù)被認(rèn)為是一項(xiàng)關(guān)鍵的材料和工藝技術(shù)，它能夠?qū)崿F(xiàn)人工智能半導(dǎo)體開發(fā)所需的大規(guī)模計(jì)算的超高速、超低功耗。

    金勇勛表示：“利用這項(xiàng)研究的成果，我們將繼續(xù)研究二維半導(dǎo)體材料的大面積合成及其在電子設(shè)備商業(yè)化和半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝中的應(yīng)用�！�

來源：郵電設(shè)計(jì)技術(shù)
參考：businesskorea