11/01/2024，光纖在線訊，據(jù)報(bào)道，預(yù)計(jì)臺(tái)積電將于今年年底從荷蘭供應(yīng)商ASML接收首批全球最先進(jìn)的芯片制造機(jī)器，僅比美國(guó)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手英特爾晚幾個(gè)月。

      它們被稱為高數(shù)值孔徑極紫外（High NA EUV）光刻機(jī)，是世界上最昂貴的芯片制造設(shè)備，每臺(tái)的價(jià)格約為3.5億美元。臺(tái)積電、英特爾和三星是目前僅有的幾家仍在競(jìng)相生產(chǎn)體積更小、性能更強(qiáng)半導(dǎo)體產(chǎn)品的全球芯片制造商，他們都嚴(yán)重依賴ASML的設(shè)備。

      消息人士透露，臺(tái)積電將在本季度在其位于中國(guó)臺(tái)灣新竹總部附近的研發(fā)中心安裝新的High NA EUV光刻機(jī)。在新設(shè)備用于大規(guī)模芯片生產(chǎn)之前，需要進(jìn)行廣泛的研究和工程工作，但消息人士稱，臺(tái)積電認(rèn)為沒(méi)有必要急于采取行動(dòng)，“根據(jù)目前的研發(fā)成果，并不迫切需要使用最新版本的High NA EUV光刻機(jī)，但臺(tái)積電不排除進(jìn)行全面尋路和工程工作的機(jī)會(huì)，并利用業(yè)界最先進(jìn)的設(shè)備進(jìn)行試運(yùn)行，該公司的目標(biāo)是保留所有選擇�！�

      消息人士稱，臺(tái)積電可能會(huì)在推出A10生產(chǎn)技術(shù)后才會(huì)考慮使用這些機(jī)器進(jìn)行商業(yè)生產(chǎn)，可能在2030年之后。據(jù)悉，A10技術(shù)比臺(tái)積電計(jì)劃在2025年底投入生產(chǎn)的2nm技術(shù)高出大約兩代。

      臺(tái)積電方面證實(shí)，將引進(jìn)這些新設(shè)備，但沒(méi)有具體透露有關(guān)交付時(shí)間或投入生產(chǎn)的任何細(xì)節(jié)。該公司表示：“臺(tái)積電仔細(xì)評(píng)估了新晶體管結(jié)構(gòu)和新工具等技術(shù)創(chuàng)新，并在將其投入批量生產(chǎn)之前，考慮了它們的成熟度、成本和對(duì)客戶的好處。臺(tái)積電計(jì)劃首先引進(jìn)High NA EUV光刻機(jī)用于研發(fā)，以開發(fā)客戶推動(dòng)創(chuàng)新所需的相關(guān)基礎(chǔ)設(shè)施和模式解決方案�！�

      在ASML High NA EUV光刻機(jī)采用方面， 英特爾2023年12月在其位于美國(guó)俄勒岡州的研發(fā)中心安裝了第一套High NA EUV光刻機(jī)，并正在進(jìn)行測(cè)試，為商業(yè)生產(chǎn)做準(zhǔn)備。今年第二季度，ASML的第二套High NA EUV光刻機(jī)被運(yùn)往英特爾。近日另有消息稱，三星電子正準(zhǔn)備在2025年初引入首臺(tái)High NA EUV（極紫外）光刻機(jī)設(shè)備，這一發(fā)展標(biāo)志著三星首次涉足High NA EUV技術(shù)。此前，該公司曾與IMEC合作進(jìn)行電路處理研究。三星計(jì)劃利用自己的設(shè)備加速先進(jìn)節(jié)點(diǎn)的開發(fā)，并設(shè)定了到2027年實(shí)現(xiàn)1.4nm工藝商業(yè)化的目標(biāo)，這可能為1nm生產(chǎn)鋪平道路。

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