導讀:近日,韓國內(nèi)存大廠SK海力士宣布,斥資38.7億美元在美國印第安那州興建新先進內(nèi)存封裝廠,預期2028年下半年開始運營,有望生產(chǎn)HBM4和HBM4E內(nèi)存產(chǎn)品。
4/07/2024,光纖在線訊,近日,韓國內(nèi)存大廠SK海力士宣布,斥資38.7億美元在美國印第安那州興建新先進內(nèi)存封裝廠,預期2028年下半年開始運營,有望生產(chǎn)HBM4和HBM4E內(nèi)存產(chǎn)品。
據(jù)報道,該廠將不加工帶內(nèi)存電路的芯片,而是從其他地方(如韓國SK海力士芯片廠)獲得這些芯片,再用已知良好堆棧裸晶組裝HBM。
部分用于AI和高性能運算的最先進處理器都采用HBM內(nèi)存,如AMD MI300系列和Nvidia H100/H200、B100/B200系列產(chǎn)品。在美國設(shè)HBM封裝廠將使高帶寬內(nèi)存的供應鏈更具彈性,但從SK海力士聲明看,該公司將繼續(xù)在韓國生產(chǎn)HBM內(nèi)存設(shè)備。
該工廠預期成本將大幅超越英特爾、臺積電封裝廠成本,加上HBM4和HBM4E內(nèi)存堆棧將采用2048位界面,比現(xiàn)有HBM3、HBM3E復雜,因此需要更復雜的封裝設(shè)備。也因此,預期SK海力士印第安那州廠投產(chǎn)后,將成為世界上最先進的半導體封裝工廠之一。
SK海力士首席執(zhí)行官Kwak Noh-Jung指出,很高興能成為業(yè)內(nèi)首間在美國為AI產(chǎn)品創(chuàng)建先進封裝設(shè)施的企業(yè),期盼新工廠能推進公司AI內(nèi)存芯片目標,服務(wù)客戶的需求。
該廠將位于印第安那州的西拉法葉(West Lafayette),SK海力士表示,之所以選擇此處,是因為印第安那州擁有強大工業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施,包括以普渡大學和常春藤技術(shù)社區(qū)學院為首的研發(fā)生態(tài)系統(tǒng)、半導體專家,及州政府和地方政府的大力支持。
此外,SK海力士還與普渡大學簽署研發(fā)項目,并與常春藤技術(shù)社區(qū)學院(Ivy Tech Community College)合作,開設(shè)培訓課程和多學科學位課程,培養(yǎng)高科技領(lǐng)域的熟練勞動力。
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