1/04/2024，光纖在線訊， 2024已至，在首期推送中，CUMEC會(huì)對(duì)如何參與一次MPW流片進(jìn)行詳細(xì)介紹。其中主要包括三個(gè)方面：

一、2024年CUMEC MPW流片排期計(jì)劃
聯(lián)合微電子中心有限責(zé)任公司2024 MPW排期計(jì)劃：



* 各批次客戶首次提交版圖最后期限（Tape in）為框中日期；
* 為確保所有設(shè)計(jì)都能順利投版落地，DRC1、Tape out（TO）中存在與設(shè)計(jì)客戶的多次交互與反饋修改，我們會(huì)在TO完成后發(fā)送郵件告知客戶進(jìn)度；
* 流片承諾交期以TO完成后發(fā)送郵件告知的日期為準(zhǔn)，各工藝時(shí)長(zhǎng)如上圖標(biāo)注。

二、商務(wù)流程
        了解完各個(gè)工藝的特點(diǎn)，用戶可以針對(duì)自身設(shè)計(jì)需求做出工藝挑選，然后就可以推進(jìn)商務(wù)流程以參與MPW流片了。具體流程如下：

一）. 簽署NDA
（模板下載網(wǎng)址: http://service.cumec.cn）

簽字蓋章后郵寄原件至CUMEC，并將掃描件發(fā)至指定郵箱。
郵寄地址：
重慶市沙坪壩區(qū)西園南街20號(hào)  
聯(lián)合微電子中心 毛毳
郵箱地址：service@cumec.cn

※  NDA簽署注意事項(xiàng)：
1.具有法律效力的公章，特別的，學(xué)校用戶如使用學(xué)院章，則需補(bǔ)充保密承諾函；
2.聯(lián)系人郵箱須為企業(yè)或機(jī)構(gòu)郵箱；
3.簽字人須為項(xiàng)目負(fù)責(zé)人及以上；
4.信息填寫完整。

二）. 確認(rèn)流片計(jì)劃，獲取相對(duì)應(yīng)的PDK
        我司收到NDA后，會(huì)在三個(gè)工作日完成審核并進(jìn)行反饋。
        聯(lián)系郵箱：service@cumec.cn
        請(qǐng)留意，郵件中務(wù)必描述工藝需求和流片計(jì)劃，無(wú)計(jì)劃或直接申請(qǐng)全部PDK，可能影響正常獲取。

三）. 注冊(cè)流片：確認(rèn)流片批次和規(guī)格
        發(fā)送郵件：郵件請(qǐng)注明單位，聯(lián)系人，預(yù)訂工藝，和預(yù)訂投片時(shí)間。（例如：XX公司，李明，CSiP130Cu Active，3月批次）
        聯(lián)系郵箱：service@cumec.cn
        我司工作人員隨后會(huì)根據(jù)報(bào)名信息告知預(yù)定批次號(hào)，用于后續(xù)訂單追蹤。（注：批次號(hào)為臨時(shí)批次號(hào)，在服務(wù)過(guò)程中可能會(huì)根據(jù)實(shí)際情況做出相應(yīng)的調(diào)整，變動(dòng)會(huì)以郵件形式告知。）

四). 提交版圖
        請(qǐng)用戶于排期表tape in截至日期前，至少提交第一版版圖，并于4周內(nèi)完成DRC clear。

※ 版圖注意事項(xiàng)：
1. 請(qǐng)用戶務(wù)必用我們提供的template block進(jìn)行設(shè)計(jì)；
2. 文件名和cell名都不要用中文和特殊符號(hào)；
3. 任何library cell都不要flatten，包括template；
4. 提交前需將版圖cell轉(zhuǎn)換為static形式；
5. 除handbook中提供的layer之外，請(qǐng)不要隨意使用layer；
6. 提交不同版本的版圖請(qǐng)用文件名做區(qū)分。

請(qǐng)留意：CUMEC收到版圖后，一般于3個(gè)工作日內(nèi)反饋DRC結(jié)果，用戶收到后請(qǐng)于一周內(nèi)完成版圖更新。用戶共有4次版圖修改機(jī)會(huì)，請(qǐng)合理安排投版。

聯(lián)系郵箱：cumec_drc@cumec.cn

三、設(shè)計(jì)需求與工藝選擇
        聯(lián)合微電子中心有限責(zé)任公司（CUMEC）共提供4套硅光工藝，包括：CSiP180A無(wú)源工藝，CSiP130C有源工藝，CSiN300氮化硅無(wú)源工藝，以及CSiP130N硅上氮化硅有源工藝，其基本工藝指標(biāo)和特點(diǎn)如下所示：

CSiP180A無(wú)源工藝，CSiP130C有源工藝


CSiN300氮化硅無(wú)源工藝與CSiP130N硅上氮化硅有源工藝