1/03/2024，光纖在線訊，上海工研院（SITRI）聯(lián)合中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)所、中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、上海交大等國(guó)內(nèi)硅基光電子領(lǐng)域知名研究機(jī)構(gòu)，建立硅基光電子器件工藝平臺(tái)，具備硅基異質(zhì)材料外延、硅基光電子器件/芯片加工制備、封裝測(cè)試等能力，可以通過MPW、定制化流片、聯(lián)合研發(fā)等多種方式為高校和企業(yè)提供服務(wù)，滿足客戶研發(fā)、中試、封裝等多樣化需求。

   
    
*表中時(shí)間為客戶首次提交自查DRC free的版圖時(shí)間
*單個(gè)Block尺寸3mm × 10mm，交付25個(gè)芯片

      SITRI共提供2套硅光工藝，包括90nm SOI有源/無源工藝與180nm SiN無源工藝，具體工藝能力如下：

01、90nm工藝節(jié)點(diǎn)SOI流片
      目前，SOI集成工藝流片的最小工藝節(jié)點(diǎn)已升級(jí)至90nm，具備三步硅刻蝕、多步有源器件摻雜、鍺外延、TiN金屬加熱電極、雙層鋁互連和深硅刻蝕等關(guān)鍵工藝能力，可實(shí)現(xiàn)各種高性能的硅光無源、有源器件。

基本工藝能力如下表所示：

器件庫(kù)性能如下表所示：


02、180nm工藝節(jié)點(diǎn)SiN流片
      SiN集成工藝流片具備LPCVD氮化硅、TiN金屬加熱電極、單層鋁互連和深硅刻蝕等關(guān)鍵工藝能力，可實(shí)現(xiàn)各種高性能氮化硅無源器件。

基本工藝能力如下表所示：

器件庫(kù)性能如下表所示：

MPW服務(wù)流程

定制化服務(wù)流程


*如有流片需求，請(qǐng)郵件聯(lián)系商務(wù)張經(jīng)理獲取PDK，歡迎垂詢！
郵箱：Rex.Zhang@sitri.com
電話：156-9213-9359

關(guān)于上海微技術(shù)工業(yè)研究院：
      上海微技術(shù)工業(yè)研究院（SITRI）成立于2013年，由上海市科學(xué)技術(shù)委員會(huì)、嘉定區(qū)政府和中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所發(fā)起成立，是集研發(fā)、工程、產(chǎn)業(yè)化及培育于一體的研發(fā)與轉(zhuǎn)化功能型平臺(tái)，為創(chuàng)新企業(yè)及合作伙伴提供深度工藝技術(shù)支持和服務(wù)。SITRI在上海聯(lián)和投資有限公司服務(wù)國(guó)家戰(zhàn)略、做科創(chuàng)發(fā)展先行者排頭兵戰(zhàn)略使命的指導(dǎo)下，依托中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)所“三位一體”創(chuàng)新架構(gòu)模式建立，通過上海微系統(tǒng)所技術(shù)力量的支撐以及上海新微科技集團(tuán)投資運(yùn)營(yíng)模式的支持，與國(guó)內(nèi)外眾多的產(chǎn)、學(xué)、研組織建立了緊密的合作關(guān)系，實(shí)現(xiàn)創(chuàng)新成果的高效率產(chǎn)業(yè)化，加速“超越摩爾”產(chǎn)業(yè)生態(tài)系統(tǒng)建立。

      SITRI擁有全國(guó)首條8英寸“超越摩爾”（More than Moore）研發(fā)中試線，提供MEMS、硅光、生物芯片等“超越摩爾”核心工藝技術(shù)，為設(shè)計(jì)、裝備和材料等半導(dǎo)體公司提供高效的研發(fā)、中試和驗(yàn)證服務(wù)，實(shí)現(xiàn)從研發(fā)到小批量生產(chǎn)無縫對(duì)接。截至目前，SITRI已累計(jì)申請(qǐng)專利866項(xiàng)，發(fā)明專利686項(xiàng)，其中PCT（國(guó)際專利）專利55項(xiàng)。 SITRI立足上海、面向長(zhǎng)三角、輻射全國(guó)，已初步形成“超越摩爾”領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)生態(tài)體系。