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會(huì)員新品 | 聯(lián)訊儀器全新推出200V PXIe 精密源表S2012C

光纖在線編輯部  2022-11-08 10:33:03  文章來源:綜合整理  版權(quán)所有,未經(jīng)許可嚴(yán)禁轉(zhuǎn)載.

導(dǎo)讀:聯(lián)訊儀器全新推出 PXIe 精密電源/測(cè)量單元 S2012C。其最小測(cè)量分辨率達(dá)10fA/100nV,輸出電壓高達(dá)±200V。進(jìn)一步拓展了PXIe源表的應(yīng)用場(chǎng)景,工程師可以使用 S2012C SMU(Source Measure Unit) 來測(cè)量低電流信號(hào),同時(shí)PXIe SMU 的高通道密度、高速的測(cè)試吞吐率和靈活性可實(shí)現(xiàn)晶圓級(jí)參數(shù)測(cè)試、材料研究以及分析低電流傳感器和集成電路的特性等多種應(yīng)用

11/08/2022,光纖在線訊,近期,光纖在線會(huì)員企業(yè)--聯(lián)訊儀器宣布推出新品:全新 PXIe 精密電源/測(cè)量單元 S2012C,該產(chǎn)品具有高精度、高速測(cè)量、并支持多通道并行測(cè)試等優(yōu)勢(shì)。




聯(lián)訊儀器全新推出 PXIe 精密電源/測(cè)量單元 S2012C。其最小測(cè)量分辨率達(dá)10fA/100nV,輸出電壓高達(dá)±200V。進(jìn)一步拓展了PXIe源表的應(yīng)用場(chǎng)景,工程師可以使用 S2012C SMU(Source Measure Unit) 來測(cè)量低電流信號(hào),同時(shí)PXIe SMU 的高通道密度、高速的測(cè)試吞吐率和靈活性可實(shí)現(xiàn)晶圓級(jí)參數(shù)測(cè)試、材料研究以及分析低電流傳感器和集成電路的特性等多種應(yīng)用。

01高精度
S2012C  分辨率高達(dá)10fA/100nV,電壓精度100μV,電流精度10pA ,可用于測(cè)量微小的泄漏電流等應(yīng)用場(chǎng)合,泄漏電流通常在pA級(jí)別,S2012C搭配3同軸測(cè)量端子,用于nA級(jí)以下小電流測(cè)試。

02Adaptive PFC系統(tǒng)
用戶可利用Adaptive PFC(Precise-Fast Control)系統(tǒng),用戶可根據(jù)負(fù)載特性,調(diào)整相關(guān)參數(shù),獲得更精確,快速的輸出特性。

03高速測(cè)量
S2012C 最高可支持1M的采樣率,NPLC和采樣率可根據(jù)需要設(shè)定,以滿足高速高精度的測(cè)量場(chǎng)景。

04構(gòu)建多通道并行測(cè)試系統(tǒng)
基于PXIe的模塊化架構(gòu)便于構(gòu)建緊湊的并行多通道測(cè)試系統(tǒng),可擴(kuò)展至數(shù)百個(gè)通道來滿足晶圓級(jí)可靠性和并行測(cè)試需求。

05直流I-V輸出能力


06脈沖I-V輸出能力


SMU產(chǎn)品系列




關(guān)于聯(lián)訊
聯(lián)訊儀器是國內(nèi)高端測(cè)試儀器和設(shè)備提供商。主要專注于高速通信測(cè)試,光芯片測(cè)試和半導(dǎo)體測(cè)試三大領(lǐng)域,可以提供包括高速誤碼儀、網(wǎng)絡(luò)測(cè)試儀、寬帶采樣示波器、高精度波長(zhǎng)計(jì)、光譜儀,通用數(shù)字源表等高端測(cè)試儀器,以及高速光電混合ATE, 激光器芯片老化機(jī),激光器芯片測(cè)試機(jī),硅光晶圓測(cè)試機(jī),功率芯片測(cè)試機(jī),晶圓老化機(jī),等高端測(cè)試設(shè)備。
更多產(chǎn)品詳情,請(qǐng)?jiān)L問 www.semight.com

聯(lián)系聯(lián)訊儀器
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高精度數(shù)字源表:張盼盼 185-2212-4627
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