6/17/2020，光纖在線訊         GaN半導(dǎo)體材料具有禁帶寬度大、電子遷移率高、電子飽和速度大、擊穿電場(chǎng)高等優(yōu)點(diǎn)，基于GaN材料的AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管(HEMT)成為了微波功率器件及電路領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。

尤其是近年來(lái)，在 5G 和電力電子等下一代通信應(yīng)用中，基于氮化鎵的射頻器件和功率器件發(fā)展十分迅猛，但在通信領(lǐng)域，GaN 放大器市場(chǎng)將在 2020 年迎來(lái)爆發(fā)，有咨詢公司預(yù)測(cè)，光是基站端 GaN 放大器市場(chǎng)規(guī)模達(dá) 32.7 億元，與2019相比增長(zhǎng)率為 340.8%。

若干年來(lái)，國(guó)內(nèi)的很多大學(xué)和研究所都在相關(guān)領(lǐng)域進(jìn)行各種深入的研究。例如，GaN 器件建模就是一個(gè)非常活躍的研究領(lǐng)域。多年來(lái)，包括建模方法在內(nèi)的各種緊湊型建模解決方案已陸續(xù)被提出。

坎普爾印度理工學(xué)院，采用是德科技的軟件工具和一系列的對(duì)器件進(jìn)行精準(zhǔn)參數(shù)測(cè)試的方案，經(jīng)過(guò)多年的不懈努力，終于開(kāi)發(fā)出業(yè)界第一個(gè)基于GaN的HEMT的高級(jí)SPICE模型，該模型不僅擁有適當(dāng)?shù)木o湊度，還可以實(shí)現(xiàn)極高的精確度和最少的仿真時(shí)間。

在此基礎(chǔ)上，該研究團(tuán)隊(duì)還開(kāi)發(fā)出了以下模型：
非線性訪問(wèn)區(qū)域電阻模型
遷移率降低模型
噪音模型
門(mén)泄露模型
其它一些模型

那么印度理工學(xué)院采用了是德科技的哪些方案組合呢？主要包含以下三個(gè)方面：

- B1500系列的IV/CV參數(shù)分析儀和B1505 IV/CV大功率分析儀



B1500A 提供極其豐富的測(cè)量功能，支持器件、材料、半導(dǎo)體、有源/無(wú)源器件甚至幾乎所有其他類(lèi)型電子器件的電氣表征和測(cè)試，并且具有卓越的測(cè)量可靠性和測(cè)量效率。B1505A擁有廣泛的器件測(cè)試功能，其高電壓/強(qiáng)電流快速切換選件，適用于 GaN 電流崩塌效應(yīng)表征。
 

- 具有負(fù)載牽引系統(tǒng)的PNA-X系列矢量網(wǎng)絡(luò)分析方案



PNA-X 系列是業(yè)界最先進(jìn)和最靈活的網(wǎng)絡(luò)分析儀，通過(guò)單次連接便可在一臺(tái)儀器中完成幾乎所有的線性和非線性參數(shù)的測(cè)試�；�于負(fù)載牽引的測(cè)試方案廣泛用于器件建模和放大器性能測(cè)試等方面。
 

- 是德科技PathWave 建模(原來(lái)的IC-CAP)和ADS系統(tǒng)仿真軟件
 


IC-CAP為用于 GaN器件建模的 2 個(gè)物理學(xué)模型(即 UC Berkeley 與 ITT Kanpur 共同開(kāi)發(fā)的 ASM-HEMT 模型，以及MIT 開(kāi)發(fā)的 MVSG 模型)提供了全新的提取流程。緊湊模型聯(lián)盟(CMC)已批準(zhǔn)這兩種模型成為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。

它們可以為氮化鎵工藝開(kāi)發(fā)人員帶來(lái)更廣闊的分析視野。例如，工藝工程師可以了解到增加遷移率或降低接觸電阻對(duì)提高整體功率放大器效率的好處。

兩種模型都考慮了電熱和載流子陷阱效應(yīng)，以及其他嚴(yán)重影響非線性射頻特性的重要效應(yīng)，例如接入?yún)^(qū)、速度飽和、場(chǎng)板和漏致勢(shì)壘降低(DIBL)效應(yīng)。


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